一种聚硅氧烷树脂合成硅氧碳陶瓷材料的方法技术

本发明专利技术公开了一种聚硅氧烷树脂合成硅氧碳陶瓷材料的方法。该方法中制备陶瓷前驱体的原料含有液态甲基乙烯基MQ硅树脂、交联剂、抑制剂和催化剂，所述液态甲基乙烯基MQ硅树脂占的比重为10～80wt％，交联剂占的比重为1～50wt％，抑制剂占的比重为10～50wt％，催化剂占的比重为0.1～0.5wt％；所述的液态甲基乙烯基MQ硅树脂的固含量≥50％，粘度为100～100000mPa·s，乙烯基含量为0.5～10wt％。本发明专利技术在前驱体原料中添加液态甲基乙烯基MQ硅树脂，其与交联剂、抑制剂在极少量催化剂的作用下即可获得固含量高、网络状的聚硅氧烷树脂前驱体，保证了硅氧碳陶瓷的产率高，致密性好且机械强度高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种聚硅氧烷树脂合成硅氧碳陶瓷材料的方法，包括制备陶瓷前驱体步骤、交联固化步骤和裂解步骤，其特征在于：在制备陶瓷前驱体步骤中，制备陶瓷前驱体的原料含有液态甲基乙烯基MQ硅树脂、交联剂、抑制剂和催化剂，其中，液态甲基乙烯基MQ硅树脂在制备陶瓷前驱体混合料中占的比重为10～80wt％，交联剂在制备陶瓷前驱体混合料中占的比重为1～50wt％，抑制剂在制备陶瓷前驱体混合料中占的比重为10～50wt％，催化剂在制备陶瓷前驱体混合料中占的比重为0.1～0.5wt％；所述的液态甲基乙烯基MQ硅树脂的固含量≥50％，粘度为100～100000mPa·s，乙烯基含量为0.5～10wt％；所述的交联剂为以Si?(CH3)3或Si?H(CH3)2封端的含氢聚硅氧烷，该交联剂的粘度为10～5000mPa·s，含氢量为0.8～3wt％；所述的抑制剂为环状四甲基四乙烯基环四硅氧烷(D4Vi)，或者是乙烯基含量为0.2～5wt％、粘度为10～5000mPa·s的直链状乙烯基聚硅氧烷，或者是它们两者任意比例的组合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：青双桂，王汝柯，梁亚东，黄孙息，
申请(专利权)人：桂林电器科学研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：