【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非晶质氧化物薄膜的制造方法及薄膜晶体管
本专利技术是涉及一种非晶质氧化物薄膜的制造方法以及薄膜晶体管。
技术介绍
以非晶质氧化物薄膜、特别是In-Ga-Zn-O系(以下称为“IGZ0”)为代表的透明非晶质氧化物半导体被称为 “TAOS (Transparent Amorphous Oxide Semiconductor) ”，多种研究机构或厂商进行研究开发，完成技术跃进。尤其是日本或韩国、台湾的面板厂商成为中心而积极进行大型显示器的试制，还进行可靠性或稳定性的讨论，进而进行面向量产化的技术研究，在利用真空成膜法的制造中达到相当接近于实用化的水平。另一方面，作为在大面积化的趋势中降低制造成本的目的，还盛行对利用液相工艺(以下称为“液相法”)的TAOS-TFT(Thin Film Transistor:薄膜晶体管)制作进行研究开发。例如，近年来报告有以液相法制作的TAOS-TFT驱动的液晶显示器等，社会上对于利用液相法的TFT制作的期待日益提高。然而，液相法中列举以下情况作为今后必须解决的课题:与真空成膜法相比较，工艺温度仍高，难以获得优质的薄膜。因此，日本专...
【技术保护点】
一种非晶质氧化物薄膜的制造方法，包括以下步骤：前处理步骤，对包含有机成分及In的第一氧化物前驱物膜，在小于所述有机成分的热分解温度的温度下使所述有机成分的键结状态选择性地变化而获得第二氧化物前驱物膜，所述第二氧化物前驱物膜当在以傅立叶变换型红外光谱法进行测定时所获得的红外线吸收光谱中，将红外线的波数1380cm?1以上、1520cm?1以下的范围分割为红外线的波数1380cm?1以上、1450cm?1以下的范围与红外线的波数超过1450cm?1且1520cm?1以下的范围时，位于红外线的波数1380cm?1以上、1450cm?1以下的范围内的峰值在红外线的波数1350cm?...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.14 JP 2011-132303;2012.01.23 JP 2012-01121.一种非晶质氧化物薄膜的制造方法，包括以下步骤: 前处理步骤，对包含有机成分及In的第一氧化物前驱物膜，在小于所述有机成分的热分解温度的温度下使所述有机成分的键结状态选择性地变化而获得第二氧化物前驱物膜，所述第二氧化物前驱物膜当在以傅立叶变换型红外光谱法进行测定时所获得的红外线吸收光谱中，将红外线的波数1380CHT1以上、1520CHT1以下的范围分割为红外线的波数138001^1以上、1450CHT1以下的范围与红外线的波数超过1450CHT1且1520CHT1以下的范围时，位于红外线的波数1380CHT1以上、1450CHT1以下的范围内的峰值在红外线的波数1350CHT1 #1,17500^1以下的范围内的红外线吸收光谱中显示最大值；以及 后处理步骤，将残存于所述第二氧化物前驱物膜中的所述有机成分去除，使所述第二氧化物前驱物膜转变为包含所述In的非晶质氧化物薄膜。2.根据权利要求1所述的非晶质氧化物薄膜的制造方法，其特征在于，所述前处理步骤中的所述有机成分的键结状态的选择性变化包含:在对所述第二氧化物前驱物膜以傅立叶变换型红外光谱法进行测定时所获得的红外线吸收光谱中，相当于处于红外线的波数1500CHT1以上、1600CHT1以下的范围内的来自所述有机成分的峰值的减少的变化。3.根据权利要求1或2所述的非晶质氧化物薄膜的制造方法，其特征在于，所述前处理步骤中的所述有机成分的键结状态的选择性变化包含:在对所述第二氧化物前驱物膜以傅立叶变换型红外光谱法进行测定时所获得的红外线吸收光谱中，相当于处于红外线的波数2750CHT1 Wi^OSOcnT1以下的范围内的来自所述有机成分的峰值的减少的变化。4.根据权利要求2所述的非晶质氧化物薄膜的制造方法，其特征在于，在对所述第二氧化物前驱物膜以傅立叶变换型红外光谱法进行测定时所获得的红外线吸收光谱中，当将所述前处理步骤前的处于1500CHT1以上、1600CHT1以下的范围内的峰值设为I时，处于红外线的波数1500CHT1以上、1600CHT1以下的范围内的峰值的减少率为0.37以下。5.根据权利要求4所`述的非晶质氧化物薄膜的制造方法，其特征在于，在对所述第二氧化物前驱物膜以傅立叶变换型红外光谱法进行测定时所获得的红外线吸收光谱中，当将所述前处理步骤前的处于1500CHT1以上、1600CHT1以下的范围内的峰值设为I时，处于红外线的波数1500CHT1以上、1600CHT1以下的范...
【专利技术属性】
技术研发人员：梅田贤一，田中淳，铃木真之，下田达也，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：
国别省市：
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