一种太阳能电池的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池的制造方法依次包括如下步骤：（1）提供衬底，在衬底上形成第一过渡金属层；（2）对第一过渡金属层的上表面进行粗化；（3）在第一过渡金属层的上表面上溅镀金属材料层，然后对该金属材料层的上表面进行粗化，从而形成粗化金属层；（4）在粗化金属层的上表面形成p型半导体层，然后对p型半导体层的上表面进行粗化处理；（5）在p型半导体层的上表面上形成n型半导体层，然后对n型半导体层的上表面进行粗化处理；（6）在n型半导体层的上表面上依次形成第二过渡金属层、ZnO层以及透明导电层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池
，尤涉及。
技术介绍
薄膜太阳能电池中，含铜铟镓硒四元素(CIGS )由于其高光电效率及低材料成本，被许多人看好。在实验室完成的CIGS光电池,光电效率最闻可达约19%,就|旲块而目，最闻也可达约13%。中国专利文献CN101764169B公开了一种太阳能电池单元，其中，图1公开的是传统的CIGS太阳能电池结构10,其为层叠结构且包含一衬底11、一金属层12、一 CIGS层13、一缓冲层14以及一透明电极层(TCO) 15。衬底11 一般为玻璃衬底，金属层12可以钥(Mo)金属层组成，以配合CIGS的化学性质及可承受沉积CIGS层13时的相对高温。CIGS层13属P型半导体层。缓冲层14可为硫化镉(CdS)，其为η型半导体层，且与CIGS层13形成ρ-η结。透明导电层15可为掺铝氧化锌(AZO)或其他透明导电材料。导电层15也有称为窗层(window layer),其可让上方的光线通过而至其下的CIGS层13。图2公开的是在具有粗糙面的衬底上形成电池单元，从而增加ρ-η结的表面积来光电流密度，从而提升发电效率。然而，通过粗化表面来增加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池的制造方法依次包括如下步骤：（1）提供衬底，在衬底上形成第一过渡金属层；（2）对第一过渡金属层的上表面进行粗化；（3）在第一过渡金属层的上表面上溅镀金属材料层，然后对该金属材料层的上表面进行粗化，从而形成粗化金属层；（4）在粗化金属层的上表面形成p型半导体层，然后对p型半导体层的上表面进行粗化处理；（5）在p型半导体层的上表面上形成n型半导体层，然后对n型半导体层的上表面进行粗化处理；（6）在n型半导体层的上表面上依次形成第二过渡金属层、ZnO层以及透明导电层。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制造方法依次包括如下步骤: (1)提供衬底，在衬底上形成第一过渡金属层； (2)对第一过渡金属层的上表面进行粗化； (3)在第一过渡金属层的上表面上溅镀金属材料层，然后对该金属材料层的上表面进行粗化，从而形成粗化金属层； (4)在粗化金属层的上表面形成P型半导体层，然后对P型半导体层的上表面进行粗化处理； (5)在P型半导体层的上表面上形成η型半导体层，然后对η型半导体层的上表面进行粗化处理； (6)在η型半导体层的上表面上依次形成第二过渡金属层、ZnO层以及透明导电层。2.如权利要求1所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：丛国芳，
申请(专利权)人：溧阳市东大技术转移中心有限公司，
类型：发明
国别省市：