【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能电池
,尤其涉及。
技术介绍
晶体娃太阳电池的效率主要取决于三个方面-吸光量,光电量子效率和光电子的收集效率。其中,光电量子效率是描述被太阳电池吸收的光子转换成电子的比率。提高晶体硅太阳电池的效率则必须要同时提高吸光量,光电转换效率和收集效率。绒面制备是降低光的反射率,增大吸光量的有效手段,消除PN结的复合中心能够有效提高光电量子效率,而晶体硅电池的缺陷、杂质、电阻率和PN结的特性等对光电子收集效率有重要影响。多晶硅的特点是含有较多的晶界。晶粒间界的存在对制绒以及后道扩散,钝化和金属化都有很大的影响。如在绒面制备过程中,晶界的缺陷和杂质会加快腐蚀反应速率,因此在晶界处易出现过腐蚀,导致成品率下降及二次缺陷(孔蚀现象)。晶粒间界处磷的扩散系数远大于晶粒,由此导致在整个电池中磷浓度的分布不均,将直接影响钝化和正面金属化的欧姆接触。 然而传统的工艺流程制备的太阳能电池吸收太阳光的效率较低,且制造成本高。本专利技术提供的制备工艺生产的太阳能电池效率高,且制造成本较低,是未来发展的趋势。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供,旨在解决现有的太阳能电池生产存在的太阳光效率较低,制造成本高的问题。本专利技术实施例是这样实现的,,该高效率太阳能电池的制备方法包括以下步骤: 步骤一,清洗制绒,首先领料,然后保持片盒干净,片盒底垫上海绵进行插片,将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中,片盒之间有相应的间隔;硅片插完后,取掉片盒底部的海绵,扣好压条;分别加入异丙醇、添加剂、HF酸、HCl进行脱水、去金属离子,最后配 ...
【技术保护点】
一种高效率太阳能电池的制备方法,其特征在于,该高效率太阳能电池的制备方法包括以下步骤:步骤一,清洗制绒,首先领料,然后保持片盒干净,片盒底垫上海绵进行插片,将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中,片盒之间有相应的间隔;硅片插完后,取掉片盒底部的海绵,扣好压条;分别加入异丙醇、添加剂、HF酸、HCl进行脱水、去金属离子,最后配槽,制绒清洗,甩干;步骤二,三氯氧磷液态源扩散:清洗、饱和、升温、装片、进炉、稳定、通氧气、通源、吹氮、出炉、卸片、检验;?步骤三,干法刻蚀,首先,母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子,?以及离子,活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达表面,并在表面上掺入O2发生化学反应;步骤四,去除PSG,清洗液配制,装片,开机,投片清洗,甩干;步骤五,减反射膜制备?PECVD,石墨舟及硅片准备,管内充氮气,进舟,抽真空、压力测试,NH3预清理和检查,管路抽真空、测漏、恒温,NH3清理,镀膜,抽真空、压力测试,清管路、充氮气,退舟;步骤六,丝网印刷,背电极印刷,1号烘箱,背电场印刷,2号烘箱,正电极印刷,烧结,测试分选;步骤七,组件,电池片 ...
【技术特征摘要】
1.一种高效率太阳能电池的制备方法,其特征在于,该高效率太阳能电池的制备方法包括以下步骤: 步骤一,清洗制绒,首先领料,然后保持片盒干净,片盒底垫上海绵进行插片,将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中,片盒之间有相应的间隔;硅片插完后,取掉片盒底部的海绵,扣好压条;分别加入异丙醇、添加剂、HF酸、HCl进行脱水、去金属离子,最后配槽,制绒清洗,甩干; 步骤二,三氯氧磷液态源扩散:清洗、饱和、升温、装片、进炉、稳定、通氧气、通源、吹氮、出炉、卸片、检验; 步骤三,干法刻蚀,首先,母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子,以及离子,活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达表面,并在表面上掺入O2发生化学反应; 步骤四,去除PSG,清洗液配制,装片,开机,投片清洗,甩干; 步骤五,减反射膜制备-PECVD,石墨舟及硅片准备,管内充氮气,进舟,抽真空、压力测试,NH3预清理和检查,管路抽真空、测漏、恒温,NH3清理,镀膜,抽真空、压力测试,清管路、充氮气,退舟; 步骤六,丝网印刷,背电极印刷,I号烘箱,背电场印刷,2号烘箱,正电极印刷,烧结,测试分选; 步骤七,组件,电池片分选、单片焊接、串联焊接、叠层、层压、装框、清洗、电性能测试、包装入库。2.如权利要求1所述的高效率太阳能电池的制备方法,其特征在于,制绒的化学方程式为:Si+2Na0H+H20 — Na2SiO3 +2? t,为各向异性反应,温度范围为75°C~90°C,制绒包括金字塔的成核及长大过程。3.如权利要求1所述的高效率太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤二的具体方法为: 第一步,清洗,初次扩散前,扩散炉石英舟首先连接TCA装置,当炉温升至设定温度,以设定流量通TCA 60分钟清洗石英管,清洗结束后,将石英管连接扩散源瓶,待扩散;正常生产时,每周进行两次TCA清洗,时间30分钟;清洗开始时,先开O2,再开TCA ;清洗结束后,先关TCA,再关O2 ; 第二步,饱和:如果不连续生产,则每天正式生产前,须对石英管进行饱和,即正式的扩散工艺,把石英舟放入石英管,进行一次扩散,炉温升至设定温度时,以设定流量通小N2和O2,使石英管饱和,20分钟后,关闭小N2和O2 ;初次扩散前或停产一段时间以后恢复生产时,需使石英管在950°C通源饱和I小时以上; 第三步,打开大N2,调节气体流量到指定数,然后开始使炉子升温,升到880°C ^900oC,装片整个扩散从升温到出炉一直通大N2 ; 第四步,戴好防护口罩和干净的塑料手套,将清洗甩干的硅片从传递窗口取出,放在洁净台上,用teflon夹子依次将硅片从硅片盒中取出,双面扩散一个槽插入一片,单面扩散一个槽插入背靠背两片; 第五步,用舟叉将装满硅片的石英舟放在碳化硅臂浆上,保证平稳,由步进电机缓缓推入扩散炉,进炉的时间控制在5分钟;第六步,稳定炉管,使炉管内温度达到工艺设定值,管内气体趋于稳定; 第七步,通氧气:稳定时通入定量氧气,使硅片表面形成一层SiO2,使扩散速度更均匀,前氧适用于多晶工艺; 第八步,通源,待炉管温度均升到设定温度,通入小氮,携带磷源的少量氮气及氧气,设定气体流量及通入时间,通源是磷在硅片表面扩散的过程,小氮的气体压力小于3.5KG,控制在2KG以下; 第九步,吹氮,通源指定时间后,关闭小氮,通入大氮,进行驱入,驱入是磷向硅片内部扩散,扩结深,同时降低表面浓度,驱入时通入定量氧气,可与管内残留的磷源充分反应,并可与管内的五氯化磷反应,避免腐蚀硅片表面; 第十步,出炉检验,驱入指定时间...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。