制备晶体硅太阳能电池氧化硅膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备晶体硅太阳能电池氧化硅膜的方法。该方法包括将硅片置于纳米二氧化钛水分散液中，采用紫外光照射硅片，然后将硅片取出、烘干。应用本发明专利技术的技术方案，利用纳米二氧化钛在紫外光下的强氧化性，使置于纳米TiO2水分散液中的硅片表面氧化生成厚度可控的氧化硅膜，其中纳米TiO2作为催化剂参与反应，原料消耗极少，同时此方法所需设备简单，不需要采用复杂的真空镀膜设备，工艺操作简单，能够有效降低生产成本，适于大规模生产。同时纳米TiO2在氧化太阳能硅片的同时，在与太阳能硅片被氧化区域水分子会被部分还原为氢气，此部分氢气部分渗透到氧化硅膜中，从而提高氧化硅膜层质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，具体而言，涉及一种。
技术介绍
随着石油、天然气等不可再生资源的过度开发，地球油气资源储备也锐减。目前，人类不断加强对可再生能源的研究和开发，其中，太阳能电池可利用其光生伏打效应将太阳能光线转化为电能，具有二氧化碳排放极低、能源取之不绝等特点。通常来说，太阳能电池可分为晶体硅太阳能电池、薄膜太阳能电池、染料敏化太阳能电池和有机太阳能电池。当前技术相对成熟的晶体硅太阳能电池在太阳能领域中占据主导地位。在晶体硅太阳能电池的制备过程中，为了减小电极和硅片的接触电阻，通常要求扩散后高浓度掺杂，但此时电池的顶层复合大，限制了电池的转换效率。为此通常需要在完成制绒、扩散、边绝缘后制备SiOn (氧化硅)钝化层和SiNx (氮化硅)减反层，采用SiOn可改善SiNx与硅片晶格失配问题，减少太阳能电池的表面复合。专利CN202601629U公开了一种晶体硅太阳能电池，在太阳能电池表面采用PECVD(等离子增强化学气相沉积)或ALD (原子层沉积)依次制备SiOn层、A1203(三氧化二铝)层和SiNx (氮化硅)减反层。但是，类似专利CN2026016本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备晶体硅太阳能电池氧化硅膜的方法，其特征在于，将硅片置于纳米二氧化钛水分散液中，采用紫外光照射所述硅片，然后将所述硅片取出、烘干。

【技术特征摘要】
1.一种制备晶体硅太阳能电池氧化硅膜的方法，其特征在于，将硅片置于纳米二氧化钛水分散液中，采用紫外光照射所述硅片，然后将所述硅片取出、烘干。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述硅片置于所述纳米二氧化钛水分散液中之前，进一步包括所述硅片的清洗、制绒、扩散、去除磷硅玻璃、单边刻蚀以及边缘绝缘处理。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米二氧化钛水分散液中纳米二氧化钦的平均粒径为5nm?500nm。4.根据权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪健雄，李高非，韩帅，蒋京娜，
申请(专利权)人：英利集团有限公司，
类型：发明
国别省市：