非晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种非晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法，包括步骤：提供基板；在所述基板表面沉积透明导电前电极层；在所述透明导电前电极层表面沉积包括非晶硅顶层电池的叠层电池层；在所述叠层电池层表面沉积导电背电极层；其中，所述非晶硅顶层电池的本征层从P层到N层分为四步沉积，靠近P层的第一层沉积高氢稀释比的非晶硅层；第二层沉积第一非晶硅层；第三层沉积主体层，第四层沉积第二非晶硅层。本发明专利技术的方法通过对通过简单的沉积工艺控制和组合优化，很好的解决产业化进程中成本和质量的矛盾，即高速沉积和高质量非晶硅材料之间的矛盾。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏太阳能电池
，特别涉及一种。
技术介绍
硅基薄膜太阳能电池，尤其是非晶硅与微晶硅相结合的多叠层电池结构，已经成为太阳能光伏领域中最有竞争力的一种替代电池，产业化的电池效率已经达到10%的水准。目前这种多叠层电池的光电转换效率仍然偏低，需要进一步将转换效率提高到12%以上。然而，效率的提高依赖于新工艺或新结构的引入，来提高光的有效吸收，降低电池的结构缺陷和增大电池的电压和电流。硅基薄膜太阳电池由于其本身特殊的优势，大面积连续化生产、成本相对低廉、原材料丰富等，近几年来在实验室研究和产业化方面得到了快速的发展。不论是非晶硅单结电池、非晶硅/微晶硅叠层电池，还是非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结电池，其电池堆栈结构中的顶层均为非晶硅电池，既顶层电池的发电有源层材料为非晶硅本征层。自从1977年Staebler和Wronski发现了非晶娃材料的光致衰退现象之后，很多研究机构和研究人员都致力于开发高光照稳定性、低光致衰减的非晶硅太阳电池。降低非晶硅光致衰减的方法主要从两方面入手:1)采用双结或三结叠层电池，降低非晶硅发电层的厚度；2)采用高质量的非晶本征层。而高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，包括步骤：提供基板；在所述基板表面沉积透明导电前电极层；在所述透明导电前电极层表面沉积包括非晶硅顶层电池的叠层电池层；在所述叠层电池层表面沉积导电背电极层；其中，所述非晶硅顶层电池的本征层从P层到N层分为四步沉积，靠近P层的第一层沉积高氢稀释比的非晶硅层；第二层沉积第一非晶硅层；第三层沉积主体层，第四层沉积第二非晶硅层。

【技术特征摘要】
1.一种非晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，包括步骤: 提供基板； 在所述基板表面沉积透明导电前电极层； 在所述透明导电前电极层表面沉积包括非晶硅顶层电池的叠层电池层； 在所述叠层电池层表面沉积导电背电极层； 其中，所述非晶硅顶层电池的本征层从P层到N层分为四步沉积，靠近P层的第一层沉积高氢稀释比的非晶硅层；第二层沉积第一非晶硅层；第三层沉积主体层，第四层沉积第二非晶硅层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:所述叠层电池层包括非晶硅PIN或NIP单结电池、非晶硅/微晶硅叠层电池、或非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结电池。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:所述高氢稀释比的非晶硅层的沉积条件为高氢稀释比，H2/SiH4为5-15，沉积压力为0.3-0.5mbar，功率密度为180_280W/m2，膜层厚度为 5_30nm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:所述第一非晶硅层的沉积条件为:H2/SiH4的比例为4-10，沉积压力为0.3-0.5mbar，功率密度为100_160W/m2，膜层厚度为20_60nm。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张津燕，郁操，胡安红，曲铭浩，徐希翔，
申请(专利权)人：昆明铂阳远宏能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：