一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法，先对衬底进行彻底的清洗，清洗后干燥；在衬底的表面制备栅电极，形成栅电极的图形；在镀有栅电极的基板的上制备介电层；对形成的介电层进行氧等离子轰击；在已形成栅电极，以及己覆盖经氧等离子轰击的介电层的基板上制备有机半导体膜；然后制备源电极和漏电极，形成源电极，漏电极图案。气体的响应率显著提升，探测浓度下限更低；相对单晶的晶体管，有机薄膜晶体管更加容易制备，成本更低；介电层表面经过氧等离子轰击，基于界面修饰的有机薄膜晶体管将具有更快的响应速度，能实现气体的快速检测；介电层表面经过氧等离子轰击，降低了生产成本，更适宜大规模产业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及气体传感器领域，具体涉及一种基于介电层表面修饰的有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法。
技术介绍
一氧化碳是一种无色、无臭、无刺激性的气体。常见于家庭居室通风差的情况下， 由未完全燃烧的木炭产生；或是由于液化气管道泄漏、工业生产煤气以及煤炭开采中产生。 一氧化碳是一种易燃易爆气体，与空气的混合爆炸极限为129^75%。另外，吸入一氧化碳会导致其通过肺泡进入血液循环，与血液中的血红蛋白结合，其亲和力比氧气与血红蛋白的亲和力大200多倍，因此当短时间内吸入过多一氧化碳时，会导致组织缺氧，产生中毒症状，严重时会导致神经系统的严重损害甚至死亡。一氧化碳气体传感器的种类繁多，主要包括固体热传导式传感器、定电位电解式传感器、气相色谱法传感器和红外分析传感器等。当前，国内外的研究热点主要是基于半导体的传感器，一般通过气体与无机氧化物薄膜的相互作用来改变器件的特性，从而实现对气体的有效探测和对环境的监控。而基于有机半导体的有机薄膜晶体管(Organic Thin-Film Transistor, 0TFT)—氧化碳气体传感器,作为一种新型的一氧化碳气体传感器，与基于无机本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①先对衬底进行彻底的清洗，清洗后干燥；②在衬底的表面制备栅电极，形成栅电极的图形；③在镀有栅电极的基板的上制备介电层；④对形成的介电层进行氧等离子轰击；⑤在已形成栅电极，以及己覆盖经氧等离子轰击的介电层的基板上制备有机半导体膜；⑥然后制备源电极和漏电极，形成源电极，漏电极图案。

【技术特征摘要】
1.一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:①先对衬底进行彻底的清洗，清洗后干燥；②在衬底的表面制备栅电极，形成栅电极的图形；③在镀有栅电极的基板的上制备介电层；④对形成的介电层进行氧等离子轰击；⑤在已形成栅电极，以及己覆盖经氧等离子轰击的介电层的基板上制备有机半导体膜； ⑥然后制备源电极和漏电极，形成源电极，漏电极图案。2.根据权利要求1所述的一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法， 其特征在于:所述步骤④中，氧等离子轰击功率范围为2(T1000 W，轰击时间为广120秒。3.根据权利要求1所述的一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法， 其特征在于:所述步骤③中，介电层包括二氧化硅、三氧化二铝、五氧化二钽、氮化硅、二氧化钛、二氧化铪、聚乙烯醇、聚酰亚胺、聚乙烯吡咯烷酮、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯，介电层厚度为5~2000 nm。4.根据权利要求1所述的一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法， 其特征在于:所述步骤①中，衬底由硅片、玻璃、聚合物薄膜或金属箔制成。5.根据权利要求1所述的一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法， ...

【专利技术属性】
技术研发人员：于军胜，黄伟，王瀚雨，王晓，蒋泉，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：