【技术实现步骤摘要】
碳化硅籽晶粘接装置
本专利技术涉及一种晶体生长领域，特别涉及一种碳化硅籽晶粘接装置。
技术介绍
作为第三代半导体材料，碳化硅具有非常优异的物理、化学性能，这就决定了碳化硅在高端光电、大功率、微波射频等领域具有广阔的应用前景和市场空间。但是碳化硅单晶衬底中含有的高密度缺陷会极大地影响碳化硅基各类器件的实际性能，甚至导致器件失效。因此对碳化硅单晶衬底存在的缺陷进行研究是非常必要和重要的。碳化硅材料是弹性模量很大的晶体，PVT (物理气相传输方法)法生长碳化硅晶体需在2000°C以上，一般晶体生长是籽晶直接粘接在石墨盖上，进行生长，这样的结构在冷却中因为石墨和碳化硅单晶的膨胀系数的不同产生严重的应力，晶体直径越大、晶体厚度越厚厚、籽晶粘接石墨板越厚，晶体应力越大，特别是4英寸以上的大尺寸晶体，经常会产生晶体裂的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种碳化硅籽晶粘接装置，解决在晶体生长的冷却过程中因为石墨和碳化硅单晶的膨胀系数的不同，产生严重的应力，造成晶体裂的问题。为解决上述技术问题，一种碳化硅籽晶粘接装置，包括石墨盖和籽晶粘接板，籽晶与所述籽晶粘接板粘接，所述石墨盖和所述籽晶粘接板固定连接，所述籽晶粘接板厚度小于等于2mmο在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进:进一步的,籽晶粘接板厚度为0.5mm。进一步的，杆晶粘接板材质为石墨。进一步的，所述石墨为模压石墨或等静压石墨。进一步的，所述石墨盖和所述籽晶粘接板粘接或螺纹连接。本专利技术不同之处在于把原籽晶粘接石墨板分成两个部分，一是石墨盖，二为籽晶粘接板；使用厚度较小的籽...
【技术保护点】
一种碳化硅籽晶粘接装置，其特征在于：包括石墨盖和籽晶粘接板，籽晶与所述籽晶粘接板粘接，所述石墨盖和所述籽晶粘接板固定连接，所述籽晶粘接板厚度小于等于2mm。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅籽晶粘接装置，其特征在于:包括石墨盖和籽晶粘接板，籽晶与所述籽晶粘接板粘接，所述石墨盖和所述籽晶粘接板固定连接，所述籽晶粘接板厚度小于等于2mm ο2.根据权利要求1所述一种碳化硅籽晶粘接装置，其特征在于:所述籽晶粘接板厚度为 0.5mmο3.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶莹，高宇，邓树军，赵梅玉，段聪，
申请(专利权)人：河北同光晶体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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