【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体发光器件及其制备工艺，特别是涉及一种场效应晶体管器及其制备工艺，应用于电致发光器件制备
。
技术介绍
有机薄膜晶体管(OTFT)是以有机半导体材料为有源层的场效应晶体管器。与无机薄膜晶体管相比，有机薄膜晶体管具有更多的优点:有机薄膜的成膜技术更多、更方便；器件的尺寸更小、集成度更高；器件的制作工艺较为简单，能够有效地降低器件的成本；可通过适当修饰有机分子结构来提高器件性能；全部由有机材料制备的“全有机”场效应晶体管呈现出非常好的柔韧性，质量轻且携带方便可实现大面积化显示器件的控制。随着高迁移率有机半导体材料、薄膜物理和器件工程等方面研究的快速发展，OTFT的迁移率、开关电流比等性能已达到或超过非晶硅(a-S1:H)晶体管器件的水平，因此，其在液晶和有机电致发光显示器、有源驱动电路、传感器、电子标签和互补逻辑电路中有着广阔的应用前旦 一般我们认为顶接触OTFT的器件性能要优于底接触型，因为顶接触器件的载流子传输相对好一些。对于底接触型器件，载流子从源极注入，经过沟道从漏极流出。由于是半导体有机物蒸镀时向金属和绝缘层扩散，因此界面接触没有金半接触好。同时接触面积比顶接触要小的多，因此总体来说顶接触比底接触的电学性能好。从成膜方式来看，半导体层分别沉积在金属电极和绝缘层两种介质上，因此交界处的薄膜生长不均匀，不连续，在电极和绝缘层之间的界面也会存在大量缺陷，进而增大接触电阻，导致器件的电学性能比顶接触性的器件要差很多。
技术实现思路
为了解决现有技术问题，本专利技术的目的在于克服已有技术存在的不足，提供一种，在电极表面...
【技术保护点】
一种有机薄膜晶体管，主要由基板（1）、栅电极（2）、栅绝缘层（3）、源漏电极（4）及有机半导体层（6）组成，所述有机半导体层（6）作为有源层，其特征在于：在所述源漏电极（4）和所述有机半导体层（6）之间还设有电极修饰层（5），所述电极修饰层（5）通过在所述源漏电极（4）上固定DNA分子材料自组装而形成。
【技术特征摘要】
1.一种有机薄膜晶体管，主要由基板(I)、栅电极(2)、栅绝缘层(3)、源漏电极(4)及有机半导体层(6)组成，所述有机半导体层(6)作为有源层，其特征在于:在所述源漏电极(4)和所述有机半导体层(6 )之间还设有电极修饰层(5 )，所述电极修饰层(5 )通过在所述源漏电极(4 )上固定DNA分子材料自组装而形成。2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于:对于所述电极修饰层(5)，DNA分子为单链分子、双链分子、线状分子、环状分子中的任意一种或任意多种，对DNA分子进行修饰的官能团为羟基(-0H)、巯基(-SH)和羧基(-COOH)基团中的任意一种。3.根据权利要求2所述的有机薄膜晶体管，其特征在于:所述源漏电极(4)的材料采用Au、Ag、Mo、Al、Cu、Cr、T1、Mg和Ca中的任意一种或任意多种，或者采用锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)导电薄膜。4.根据权利要求1~3中任意一项所述的有机薄膜晶体管，其特征在于:所述有机半导体层(6)采用键的共轭体系有机半导体材料制成，为酞菁铜(CuPc)、并五苯(Pentacene)、红突烯(Rubrene)和DPh-BTBT中任意一种P型材料，或者为氟代酞菁铜(F16CuPc)、C60和DFB4T中任意一种N型材料，或者为PPTQT、PCBM和DC-NAP中任意一种双极型材料。5.根据权 利要求1~3中任意一项所述的有机薄膜晶体管，其特征在于:所述基板(I)采用硅片、玻璃、塑料和陶瓷中任意一种材料制成。6.根据权利要求1~3中任意一项所述的有机薄膜晶体管，其特征在于:所述栅电极(2)材料为金属、金属氧化物或者导电聚合物，具体为Au、Ag、Al、N1、...
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