一种驱动多路并联MOSFET的驱动装置及电机驱动电路制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种驱动多路并联MOSFET的驱动装置及电机驱动电路，驱动装置包括：第一驱动电路及第二驱动电路；第一驱动电路包括：第一三极管、第二三极管、电阻、二极管及电容；第一三极管的基极同时接第二三极管的基极及电阻的一端，其集电极同时接二极管的阴极及电容的一端，其发射极接第二三极管的发射极；第二三极管的集电极接电容的另一端，电阻的另一端接第一脉宽调制信号输出端，二极管的阳极接第一电源；第一三极管及第二三极管的发射极的连接点接上桥的输入端；第二驱动电路包括：第三三极管、第四三极管及电阻。本实用新型专利技术提供的驱动装置具有较强的驱动能力，其能快速的驱动多并联MOSFET且能节省电源。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
—种驱动多路并联MOSFET的驱动装置及电机驱动电路
本技术涉及一种驱动机构，尤其涉及一种驱动多路并联MOSFET的驱动装置和电机驱动电路。
技术介绍
目前，诸多电路中需要使用到MOSFET(即金氧半场效晶体管，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, M0SFET)。单个 MOSFET 的输入电荷不是很大，因此其只需较小的驱动能力即可被驱动，故普通的驱动芯片即可驱动单个MOSFET0但是，很多电路中需要使用到多路并联M0SFET，多路并联MOSFET的概念为本领域技术人员所熟知，即其主要是指由多个MOSFET并联形成桥式结构，即上桥由N个(至少三个)MOSFET并联构成，下桥也由N个MOSFET并联构成。例如，四并联MOSFET是指上桥由四个MOSFET并联形成，下桥也由四个MOSFET并联形成，整体形成桥式结构。例如，在低电压、大电流的系统里，其驱动部分通常需要多路并联M0SFET，例如三相电机。然而，多路并联MOSFET的输入电荷较大，其需要较大的驱动能力，普通的驱动芯片一般没有足够的驱动能力在较短的时间内使多路并联MOSFET导通工作。针对多路并联M0SFET，现有技术通常需要根据电路进行定制芯片或是寻找驱动能力很大的特殊的驱动芯片，这通常会使得用于驱动多路并联MOSFET的驱动电路的成本增力口，且也较难在较短时间内使多路并联MOSFET导通，且导通损耗较大。可以理解的是，本部分的陈述仅提供与本技术相关的背景信息，可能构成或不构成所谓的现有技术。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于针对现有技术中用于驱动多路并联MOSFET的装置成本较高、较难使多路并联MOSFET快速导通、且耗能较大的缺陷，提供一种成本较低、能减少能耗、且驱动能力较强以致能快速驱动多路并联MOSFET的驱动装置。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种驱动多路并联MOSFET的驱动装置，其包括:与所述多路并联MOSFET的上桥的输入端电连接的第一驱动电路及与所述多路并联MOSFET的下桥的输入端电连接的第二驱动电路；所述第一驱动电路包括:第一三极管Q1、第二三极管Q2、电阻R1、二极管ZDl及电容Cl ;第一三极管的基极同时接第二三极管的基极及电阻Rl的一端，其集电极同时接二极管ZDl的阴极及电容Cl的一端，其发射极接第二三极管的发射极；第二三极管的集电极接电容Cl的另一端，电阻Rl的另一端接第一脉宽调制信号输出端，二极管的阳极接第一电源；第一三极管及第二三极管的发射极的连接点接所述上桥的输入端；所述第二驱动电路包括:第三三极管Q3、第四三极管Q4及电阻R2 ;第三三极管的基极与第四三极管的基极同时接电阻R2的一端，其集电极接第一电源，其发射极与第四三极管的发射极电连接；第四三极管的集电极接地，电阻R2的另一端接第二脉宽调制信号输出端；第三三极管及第四三极管的发射极的连接点接所述下桥的输入端。在上述驱动装置中，所述第一三极管与所述第二三极管的极性相反，所述第三三极管与第四三极管的极性相反。本技术还提供了 一种电机驱动电路，其包括:三支多路并联M0SFET、三个分别与所述多路并联MOSFET相连以驱动所述多路并联MOSFET的驱动装置；用于驱动所述多路并联MOSFET的驱动装置为上述驱动装置中任意一种，三支多路并联MOSFET的上桥的输入端分别电连接一所述驱动装置的第一驱动电路的输出端，三支多路并联MOSFET的下桥的输入端分别电连接一所述驱动装置的第二驱动电路的输出端；每支多路并联MOSFET的上桥中各MOSFET的漏极均与第二电源连接，且每支多路并联MOSFET的上桥和下桥的连接点与电机的三相输入端之一电连接以驱动电机，所述上桥中各MOSFET的栅极一起连接为所述上桥的输入端，所述下桥中各MOSFET的栅极一起连接为所述下桥的输入端。在上述电机驱动电路中，每支多路并联MOSFET还包括连接于第一驱动电路的输出端与上桥的输入端之间的电阻R3。在上述电机驱动电路中，每支多路并联MOSFET还包括连接于第二驱动电路的输出端与下桥的输入端之间的电阻R4。本技术提供的驱动多路并联MOSFET的驱动装置中，其主要通过第一三极管Ql、第二三极管Q2、电阻R1、二极管ZDl及电容Cl构成的第一驱动电路将外接的控制信号进行功率放大，以提供较大的驱动能力来驱动多路并联MOSFET的上桥，同时，二极管及电容可以形成浮动电压进而可以减少电源及能耗；而且，通过第三三极管Q3、第四三极管Q4及电阻R2构成的第二驱动电路将外接的控制信号进行功率放大，以提供较大的驱动能力来驱动多路并联MOSFET的下桥。所以本技术提供的驱动装置的驱动能力较强，能快速驱动多路并联M0SFET，其结构简单、成本较低、且可以减少能耗。【附图说明】图1是本技术提供的一实施例中驱动多路并联MOSFET的驱动装置的电路图；图2是本技术提供的一实施例中电机驱动电路中与电机的L相相连的部分的电路图。【具体实施方式】为了使本技术所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底” “内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。参见图1至图2，本技术提供的用于驱动多路并联MOSFET的驱动装置能提供较强的驱动能力，具体的，其包括:与多路并联MOSFET的上桥的输入端电连接的第一驱动电路及与所述多路并联MOSFET的下桥的输入端电连接的第二驱动电路。具体的，参见图1，第一驱动电路包括:第一三极管Q1、第二三极管Q2、电阻R1、二极管ZDl及电容Cl ;第一三极管的基极同时接第二三极管的基极及电阻Rl的一端，其集电极同时接二极管ZDl的阴极及电容Cl的一端，其发射极接第二三极管的发射极；第二三极管的集电极接电容Cl的另一端，电阻Rl的另一端接第一脉宽调制信号输出端，二极管的阳极接第一电源；第一三极管及第二三极管的发射极的连接点接上桥的输入端。第二驱动电路包括:第三三极管Q3、第四三极管Q4及电阻R2 ;第三三极管的基极与第四三极管的基极同时接电阻R2的一端，其集电极接第一电源，其发射极与第四三极管的发射极电连接；第四三极管的集电极接地，电阻R2的另一端接第二脉宽调制信号输出端；第三三极管及第四三极管的发射极的连接点接下桥的输入端。第一脉宽调制信号PWMl用于控制第一三极管及第二三极管的导通情况，第二脉宽调制信号PWM2用于控制第三三极管及第四三极管的导通情况，而且，第一三极管及第二三极管的发射极的连接点接多路并联MOSFET中上桥的输入端，第三三极管及第四三极管的发射极的连接点接多路并联MOSFET中下桥的输入端，所以，本实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种驱动多路并联MOSFET的驱动装置，其特征在于，包括：与所述多路并联MOSFET的上桥的输入端电连接的第一驱动电路及与所述多路并联MOSFET的下桥的输入端电连接的第二驱动电路；所述第一驱动电路包括：第一三极管Q1、第二三极管Q2、电阻R1、二极管ZD1及电容C1；第一三极管Q1的基极同时接第二三极管Q2的基极及电阻R1的一端，其集电极同时接二极管ZD1的阴极及电容C1的一端，其发射极接第二三极管Q2的发射极；第二三极管Q2的集电极接电容C1的另一端，电阻R1的另一端接第一脉宽调制信号输出端，二极管的阳极接第一电源；第一三极管及第二三极管的发射极的连接点接所述上桥的输入端；所述第二驱动电路包括：第三三极管Q3、第四三极管Q4及电阻R2；第三三极管Q3的基极与第四三极管Q4的基极同时接电阻R2的一端，其集电极接第一电源，其发射极与第四三极管的发射极电连接；第四三极管的集电极接地，电阻R2的另一端接第二脉宽调制信号输出端；第三三极管及第四三极管的发射极的连接点接所述下桥的输入端。

【技术特征摘要】
1.一种驱动多路并联MOSFET的驱动装置，其特征在于，包括:与所述多路并联MOSFET的上桥的输入端电连接的第一驱动电路及与所述多路并联MOSFET的下桥的输入端电连接的第二驱动电路； 所述第一驱动电路包括:第一三极管Q1、第二三极管Q2、电阻R1、二极管ZDl及电容Cl ;第一三极管Ql的基极同时接第二三极管Q2的基极及电阻Rl的一端，其集电极同时接二极管ZDl的阴极及电容Cl的一端，其发射极接第二三极管Q2的发射极；第二三极管Q2的集电极接电容Cl的另一端，电阻Rl的另一端接第一脉宽调制信号输出端，二极管的阳极接第一电源；第一三极管及第二三极管的发射极的连接点接所述上桥的输入端； 所述第二驱动电路包括:第三三极管Q3、第四三极管Q4及电阻R2 ;第三三极管Q3的基极与第四三极管Q4的基极同时接电阻R2的一端，其集电极接第一电源，其发射极与第四三极管的发射极电连接；第四三极管的集电极接地，电阻R2的另一端接第二脉宽调制信号输出端；第三三极管及第四三极管的发射极的连接点接所述下桥的输入端。2.如权利要求1所述的驱动装置，其特征在于，所述第一三极管与所述第二三极管的极性...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐阿喜，边欣欣，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：