写入驱动器电路、使用其的半导体装置以及存储系统制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种写入驱动器电路、使用所述写入驱动器电路的半导体装置、以及存储系统，所述写入驱动器电路包括写入控制单元和写入驱动器。所述写入控制单元被配置成根据要储存的数据来产生写入控制电流。所述写入驱动器被配置成响应于写入控制电流和地址信号而产生用于将数据写入存储器单元中的写入电流，其中，所述写入驱动器根据写入控制电流和地址信号来改变写入电流的幅值。

【技术实现步骤摘要】
写入驱动器电路、使用其的半导体装置以及存储系统相关申请的交叉引用本申请要求2012年8月10日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2012-0087599的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术总体而言涉及一种半导体装置，更具体而言，涉及一种半导体装置的写入驱动器电路和一种存储系统。
技术介绍
一般而言，DRAM包括由电容器构成的存储器单元阵列，并且通过对电容器充电或放电来储存数据。DRAM被广泛使用的一部分原因是因为其的高速率操作。然而，因为储存数据是通过对电容器充电或放电来实现的，所以DRAM具有易失性存储器特性。已经不断地开发了在保持快速操作速率的同时具有非易失性存储器特性的下一代存储装置。下一代存储装置的代表性实例可以包括阻变存储装置，所述阻变存储装置包括由根据温度、电流或电压而具有可变电阻值的阻变材料形成的存储器单元阵列。由于阻变存储装置具有非易失性存储器特性并且以高速操作，所以阻变存储装置已经被认为是用以解决DRAM缺点的替代性存储器件。图1示意性地说明现有的阻变存储装置10的配置。阻变存储装置10包括存储体BANK、行地址译码器14以及列地址译码器13。存储体BANK包括多个字线WLO至WLk和多个位线BLO至BLl。各个位线BLO至BLl耦接以从写入驱动器12接收写入电流，写入驱动器12被配置成从写入控制单元11接收用于储存数据的写入控制电流WCC。参见图1，存储体BANK包括大量的位线BLO至BLl以及字线WLO至WLk。随着存储体的容量增加并且存储器工艺变得更加集成，位线之间的干扰或者位线与字线之间的干扰显著地增加。因此，即使向两个不同的存储器单元写入相同的数据，但是不同的数据可能被写入靠近写入驱动器12的存储器单元B和较远离写入驱动器12的存储器单元A。具体地，当写入电流传送到较远离写入驱动器12的存储器单元A时，写入电流可能显著地改变。当写入电流以变化的方式传送时，可能不能将准确的数据写入存储器单元。写入电流的变化可能在使用多电平单元方案的存储器件中产生复杂的问题。
技术实现思路
本文描述了一种写入驱动器和使用所述写入驱动器的半导体装置，无论存储器单元的位置如何所述写入驱动器都能够传送具有大体相似幅值的写入电流。在本专利技术的一个实施例中，一种写入驱动器电路包括:写入控制单元，所述写入控制单元被配置成根据要储存的数据来产生写入控制电流；以及写入驱动器，所述写入驱动器被配置成响应于写入控制电流和地址信号而产生用于将数据写入存储器单元中的写入电流，其中，所述写入驱动器根据写入控制电流和地址信号来改变写入电流的幅值。在本专利技术的另一个实施例中，一种写入驱动器电路包括:写入控制单元，所述写入控制单元被配置成根据要储存的数据来产生写入控制电流；主写入驱动器，所述主写入驱动器被配置成响应于写入控制电流而产生用于将数据写入存储器单元中的写入电流；以及子写入驱动器，所述子写入驱动器被配置成响应于写入控制电流和地址信号而产生写入电流。在本专利技术的另一个实施例中，一种半导体装置包括:写入控制单元，所述写入控制单元被配置成根据要储存的数据来产生写入控制电流；写入驱动器，所述写入驱动器被配置成响应于写入控制电流而产生写入电流，所述写入电流具有与到要储存数据的存储器单元的距离成比例改变的幅值；行开关，所述行开关与字线连接，以响应于行地址信号来选择要储存数据的存储器单元，以及列开关，所述列开关被配置成响应于列地址信号而选择与要储存数据的存储器单元连接的位线。在本专利技术的另一个实施例中，一种存储系统包括:存储器主机；写入控制单元，所述写入控制单元被配置成从存储器主机接收命令信号和数据，并且产生写入控制电流；写入驱动器，所述写入驱动器被配置成响应于写入控制电流而产生写入电流，所述写入电流具有与到要储存数据的存储器单元的距离成比例改变的幅值；行开关，所述行开关与字线连接，以响应于行地址信号来选择要储存数据的存储器单元；以及列开关，所述列开关被配置成响应于列地址信号而选择与要储存数据的存储器单元连接的位线。【附图说明】结合附图来描述本专利技术的特点、方面和实施例，其中:图1示意性地说明现有阻变存储装置的配置；图2示意性地说明根据本专利技术的一个实施例的写入驱动器电路的配置；图3说明根据本专利技术的一个实施例的包括图2的写入驱动器的半导体装置的配置；图4说明图2的写入控制单元的配置；以及图5示意性地说明根据本专利技术的另一个实施例的存储系统的配置。【具体实施方式】在下文中，将参照附图通过各种实施例来描述根据本专利技术的写入驱动器电路、使用写入驱动器电路的半导体装置、以及存储系统。图2说明根据本专利技术的一个实施例的写入驱动器电路I的配置的框图。写入驱动器电路I包括写入控制单元11和写入驱动器100。写入控制单元11被配置成根据要储存的数据来产生写入控制电流WCC，并且还可以根据已经储存在存储器单元中的数据来改变写入控制电流WCC。S卩，写入控制单元11产生适于将存储器单元编程到设定状态或复位状态的写入控制电流WCC。写入控制单元11可以接收写入命令和数据以产生写入控制电流WCC。写入驱动器100被配置成根据写入控制电流WCC和地址信号来产生写入电流WPGMo写入驱动器100响应于写入控制电流WCC而改变写入电流WPGM。S卩，写入驱动器100可以响应于本身取决于储存在存储器单元中的数据的写入控制电流WCC来改变写入电流WPGM的幅值。此外，写入驱动器100响应于地址信号而改变写入电流WPGM。地址信号包括列地址信号CA〈0:n>和行地址信号RA〈0:m>。写入驱动器100接收列地址信号CA〈0:n>和行地址信号RA〈0:m>，并且利用它们来确定要储存数据的存储器单元的位置。写入驱动器100可以确定写入驱动器100与存储器单元的位置之间的距离，以改变写入电流WPGM的幅值。例如，当要储存数据的存储器单元较远离写入驱动器100时，写入电流WPGM的幅值与当存储器单元较靠近写入驱动器100时相比可以增加。随着半导体工艺变得更加集成，存储体中存在的存储器单元的数目增加。因此，当访问存储器单元时，信号线之间的干扰或者存储器单元之间的干扰增加，并且当将从诸如写入驱动器的控制电路中产生的信号传送到存储器单元时，干扰随着写入驱动器与存储器单元之间的距离的增加而增加。具体地，包括由阻变材料形成的存储器单元的阻变存储装置通过根据电流的幅值来改变电阻值而储存数据。然而，当写入电流由于干扰而以变化的方式传送到存储器单元时，不可能保证写入操作的可靠性。例如，期望的数据可以写入靠近写入驱动器的存储器单元，但是可能不能正确地写入较远离写入驱动器的存储器单元。根据本专利技术的一个实施例的写入驱动器电路I可以感测存储器离写入驱动器电路I有多远，并且可以与该距离成比例地改变写入电流WPGM的幅值。假设相同的数据应当储存在两个分开的存储器单元中，写入驱动器电路I针对较远离写入驱动器电路I的存储器单元产生具有更大幅值的写入电流WPGM。因此，写入驱动器电路I可以稳定地将期望的数据写入存储器单元中，而与写入驱动器100到存储器单元的不同距离无关。在本专利技术的一个实施例中，存储器单元可以由阻变材料、相变材料或磁性材料形成，但是不局限本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种写入驱动器电路，包括：写入控制单元，所述写入控制单元被配置成根据要储存的数据来产生写入控制电流；以及写入驱动器，所述写入驱动器被配置成响应于所述写入控制电流和地址信号而产生用于将所述数据写入存储器单元中的写入电流，其中，所述写入驱动器根据所述写入控制电流和所述地址信号来改变所述写入电流的幅值。

【技术特征摘要】
2012.08.10 KR 10-2012-00875991.一种写入驱动器电路，包括: 写入控制单元，所述写入控制单元被配置成根据要储存的数据来产生写入控制电流；以及 写入驱动器，所述写入驱动器被配置成响应于所述写入控制电流和地址信号而产生用于将所述数据写入存储器单元中的写入电流， 其中，所述写入驱动器根据所述写入控制电流和所述地址信号来改变所述写入电流的幅值。2.如权利要求1所述的写入驱动器电路，其中，所述地址信号包括行地址信号和列地址信号，以及 所述写入驱动器响应于所述行地址信号和所述列地址信号而随着所述写入驱动器和要储存所述数据的存储器单元之间的距离的增加来成比例地增加所述写入电流。3.一种写入驱动器电路，包括: 写入控制单元，所述写入控制单元被配置成根据要储存的数据来产生写入控制电流；主写入驱动器，所述主写入驱动器被配置成响应于所述写入控制电流而产生用于将所述数据写入存储器单元中的写入电流；以及 子写入驱动器，所述子写入驱动器被配置成响应于所述写入控制电流和地址信号而产生所述写入电流。4.如权利要求3所述的写入驱动器电路，其中，所述主写入驱动器响应于所述写入控制电流而改变所述写入电流的幅值。5.如权利要求3所述的写入驱动器电路，其中，所述子写入驱动器响应于所述写入控制电流和所述地址信号而改变所述写入电流的幅值。6.如权利要求3所述的写入驱动器电路，其中，所述地址信号包括行地址信号和列地址信号，以及 所述子写入驱动器包括: 列子驱动器，所述列子驱动器被配置成响应于所述列地址信号而改变所述写入电流的幅值；以及 行子驱动器，所述行子驱动器被配置成响应于所述行地址信号而改变所述写入电流的幅值。7.如权利要求6所述的写入驱动器电路，其中，所述列子驱动器包括: 第一驱动器，所述第一驱动器被配置成响应于所述写入控制电流而产生第一子写入电流； 列位置控制部，所述列位置控制部被配置成检测所述列地址信号，并且产生第一控制信号；以及 第一开关，所述第一开关被配置成响应于所述第一控制信号而将所述第一子写入电流提供给施加所述写入电流的节点。8.如权利要求7所述的写入驱动器电路，其中，所述列位置控制部响应于所述列地址信号而产生所述第一控制信号。9.如权利要求7所述的写入驱动器电路，其中，所述行子驱动器包括: 第二驱动器，所述第二驱动器被配置成响应于所述写入控制电流而产生第二子写入电流； 行位置控制部，所述行位置控制部被配置成检测所述行地址信号，并且产生第二控制信号；以及 第二开关，所述第二开关被配置成响应于所述第二控制信号而将所述第二子写入电流提供给施加所述写入电流的节点。10.如权利要求9所述的写入驱动器电路，其中，所述行位置控制部接收所述行地址信号、检测所述行地址信号的最高有效位MSB、以及产生所述第二控制信号。11.一种半导体装置，包括: 写入控制单元，所述写入控制单元被配置成根据要储存的数据而产生写入控制电流；写入驱动器，所述写入驱动器被配置成响应于所述写入控制电流而产生写入电流，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林相局，严浩锡，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：