【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了。该方法选用硼作为掺杂元素，将线性离子源沉积技术与磁控溅射沉积技术相结合，以硼靶为溅射靶，再通入含碳气源，利用线性离子源沉积碳膜的同时溅射沉积硼元素，得到硼掺杂类金刚石薄膜，然后连接导线，得到硼掺杂类金刚石薄膜电极。与现有技术相比，该方法绿色环保，工艺简单，成本低，制得的电极具有良好的电化学性能，因此具有良好的应用前景。【专利说明】
本专利技术涉及类金刚石薄膜电极
，具体涉及
技术介绍
传统的电极，如汞电极、贵金属电极以及碳素电极(如石墨、玻碳、热解碳等)都有很好的应用，但是都存在一定的缺陷。例如，汞电极有毒且不能在正电位使用；金和钼电极容易被检测液污染，生物相容性差，难以实现体内的在线检测；碳素电极耐溶液腐蚀性差、电极重复性差，以及有限的电化学势窗限制了其检测范围；掺硼金刚石薄膜电极具有很强的抗中毒、抗污染能力，耐腐蚀，且具有宽的电势窗口和低的背景电流，但是成膜温度高(通常在800°C以上)，基底耐温性要求高，表面粗糙多孔，表面处理和再造困难，且难以制备大面积厚度均匀薄膜，这极大限制了其应用。类金刚石薄膜具有类似于金刚石薄膜的特性，如高的硬度、耐磨性、导热性、绝缘性，高的光学透过性和光学折射率，良好的化学稳定性、抗腐蚀能力和生物相容性等，此外还具有优于金刚石薄膜的低成膜温度(可在室温下沉积)，基底适用范围广，特别适用于微电极和大面积电极的制备，因此类金刚石薄膜在多个领域应用前景广泛。但是，类金刚石薄膜作为电极材料的应用仍然存在一定问题，例如，高能等离子体制备的类金刚石薄膜存在较高的内应力(或称压应力)，其值可...
【技术保护点】
一种硼掺杂类金刚石薄膜电极的制备方法，其特征是：采用线性离子源沉积技术与磁控溅射沉积技术相结合的方法制备，具体制备过程如下：步骤1、将基体清洗后进行表面刻蚀处理；步骤2、设定线性离子源电流为0.1A～0.3A，通入含碳气源；溅射靶为硼靶，调整溅射靶的工作电流为0.2A～1.5A，通入氩气进行溅射；设定基片偏压为?50V～?250V；打开线性离子源、溅射靶电源和偏压，在基体前表面进行薄膜沉积，得到硼掺杂类金刚石薄膜；步骤3：将步骤2处理后的基体与导线连接，然后将其四周和背表面用环氧树脂包覆，未包覆的薄膜作为电极表面，得到硼掺杂类金刚石薄膜电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汪爱英，周凯，张栋，邹友生，郭鹏，柯培玲，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：
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