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本发明提供了一种硼掺杂类金刚石薄膜电极的制备方法。该方法选用硼作为掺杂元素，将线性离子源沉积技术与磁控溅射沉积技术相结合，以硼靶为溅射靶，再通入含碳气源，利用线性离子源沉积碳膜的同时溅射沉积硼元素，得到硼掺杂类金刚石薄膜，然后连接导线，得到...
该专利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院宁波材料技术与工程研究所授权不得商用。

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