一种CuO/CoTiO3复合气敏薄膜的制备方法技术

一种CuO/CoTiO3复合气敏薄膜的制备方法，将TiO2靶材和Co3O4靶材分别放入磁控溅射仪的两个射频靶位中，将Cu靶放入直流溅射靶位；将Si基片放入磁控溅射仪的镀膜样品台上，通过真空系统将镀膜室和样品室内抽真空，并向镀膜室通入Ar气，使镀膜室和样品室内压强为0.2Pa-2Pa；设置两射频靶电源功率为100-400W，并且使溅射出的Ti，Co原子摩尔比为1︰0.5-2，同时调节直流靶功率为20W-200W，溅射10min-90min后将溅射得到的前驱体薄膜放入马弗炉中控制煅烧温度在300℃-700℃，煅烧0.5h-3h，随炉冷却得到最终产物。本发明专利技术通过降低“吸附”与“氧化还原反应”两个环节的活化能来实现半导体室温气敏性。这种方法反应效率高，成膜性好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种CuO/CoTiO3复合气敏薄膜的制备方法，其特征在于：1）以分析纯的TiO2和Co3O4为原料，分别与粘结剂混合，在50MPa?100MPa，200℃?700℃下预烧，制备出TiO2靶材和Co3O4靶材，并将TiO2靶材和Co3O4靶材分别放入磁控溅射仪的两个射频靶位中，将纯度为99.99%的Cu靶放入直流溅射靶位；2）将干净的Si基片放入磁控溅射仪的镀膜样品台上，通过真空系统将镀膜室和样品室内抽真空，当真空度达到1.0×10?4Pa?9.9×10?4Pa时，镀膜室通入Ar气，控制Ar气流量在10sccm?30sccm，使镀膜室和样品室内压强为0.2Pa?2Pa；3）设置两射频靶电源功率为100?400W，并且使溅射出的Ti，Co原子摩尔比为1︰（0.5?2），同时调节直流靶功率为20W?200W，溅射10min?90min后将溅射得到的前驱体薄膜放入马弗炉中控制煅烧温度在300℃?700℃，煅烧0.5h?3h，随炉冷却得到最终产物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卢靖，张亚宾，黄剑锋，曹丽云，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：