聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备方法，该方法包括以下步骤：根据专利ZL200710134575.2的方法获得聚合物I填充石英纤维空隙的复合结构；将上述结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维，形成存在中空微结构阵列的聚合物I微结构；在上述中空微结构阵列中填充聚合物II；去除聚合物I，获得聚合物II的微米/亚微米线阵列结构。其中，聚合物I为聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂、松香等可在常温下被有机溶剂溶解的聚合物；聚合物II为聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂、聚二甲基硅氧烷等聚合物。本发明专利技术方法新颖，获得的微结构可在光电等领域获得应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种亚微米和微米微结构材料的制备方法，特别是一种聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备技术。
技术介绍
聚合物微米/亚微米线阵列结构具有广泛的应用。例如，其阵列的不同排布可以实现光的散射和调控；导电的聚合物微米/亚微米线阵列可以作为电极阵列；聚合物微米/亚微米线阵列也可以进一步作为模板制备其它材料的微结构转阵列。因此，聚合物微米/亚微米线阵列微结构的制备方法的研发具有重要的意义。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种制备成本低的聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备技术。为了实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下:聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备技术的制备方法，包括以下步骤:(I)根据专利ZL200710134575.2的方法获得聚合物I (聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂、松香等可在常温下被有机溶剂溶解的聚合物)填充石英纤维空隙的复合结构；(2)将上述结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维，形成存在中空微结构阵列的聚合物I微结构；(3)在上述中空微结构阵列中填充聚合物II (聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂、聚二甲基娃氧烧等);( 4 )去除聚合物I，获得聚合物11的微米/亚微米线阵列结构。本专利技术与现有技术相比，其显著优点是成本低廉，无需大型仪器，工艺简单可靠。本专利技术方法新颖，获得的微结构可在光电等领域获得应用。【附图说明】图1是的示意图。【具体实施方式】下面对本专利技术作进一步详细的描述。实施例中聚合物填充石英纤维空隙的复合结构根据专利ZL200710134575.2的方法获得。实施例1:将松香填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维，形成存在中空微结构阵列的松香微结构；上述中空微结构阵列中填充聚二甲基硅氧烷，固化后用乙醇溶解去除松香，获得聚二甲基硅氧烷的微米/亚微米线阵列结构。实施例2:将聚苯乙烯填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维，形成存在中空微结构阵列的聚苯乙烯微结构；上述中空微结构阵列中填充聚二甲基硅氧烷，固化后用三氯甲烷溶解去除聚苯乙烯，获得聚二甲基硅氧烷的微米/亚微米线阵列结构。实施例3:将松香填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维，形成存在中空微结构阵列的松香微结构；上述中空微结构阵列中填充聚苯乙烯，固化后用乙醇溶解去除松香，获得聚苯乙烯的微米/亚微米线阵列结构。实施例4:将聚甲基丙烯酸甲酯填充石英纤维空隙的复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维，形成存在中空微结构阵列的聚甲基丙烯酸甲酯微结构；上述中空微结构阵列中填充聚二甲基硅氧烷，固化后用乙醇溶解去除松香，获得聚二甲基硅氧烷的微米/亚微米线阵列结构。本文档来自技高网...

【技术保护点】
聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备方法，其特征是，所述方法包括以下步骤：（1）根据专利ZL200710134575.2的方法获得聚合物I填充石英纤维空隙的复合结构；（2）将上述复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维，形成存在中空微结构阵列的聚合物I微结构；（3）在上述中空微结构阵列中填充聚合物II；（4）去除聚合物I，获得聚合物II的微米/亚微米线阵列结构。

【技术特征摘要】
1.聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备方法，其特征是，所述方法包括以下步骤:(1)根据专利ZL200710134575.2的方法获得聚合物I填充石英纤维空隙的复合结构； (2)将上述复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维，形成存在中空微结构阵列的聚合物I微结构； (3)在上述中空微结构阵列中填充聚合物II； (4)去除聚合物I，获得聚合物II的微米/亚微米线阵列结构。2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢明辉，
申请(专利权)人：无锡英普林纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：