【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及用于破碎多晶硅棒的装置，该装置包括底座以及至少一个可移动的破碎凿及至少一个不可移动的砧座，其中至少一个破碎凿的纵轴以平行于或者几乎平行于底座的表面的方式取向，其中位于底座的表面上的待破碎的硅棒能够各自在破碎凿与砧座之间以如下方式加以调节，破碎凿和砧座能够各自在硅棒的区域内与硅棒接触，硅棒与砧座的接触点以及延伸穿过棒中心的硅棒横轴或者与该横轴平行并且相对于棒中心的距离最大为棒直径的30％的硅棒的轴各自位于破碎凿的纵轴上或者位于与破碎凿的纵轴平行并且相对于破碎凿的纵轴的距离最大为棒直径的30％的轴上。本专利技术还涉及用于破碎多晶硅棒的方法。【专利说明】
本专利技术涉及破碎多晶硅的装置和方法。
技术介绍
多晶硅是通过在所谓的西门子反应器中使诸如三氯硅烷的硅化合物热分解而获得的，并在此以多晶棒的形式产生。为了通过坩埚提拉制造单晶，首先必须将多晶棒破碎成为碎块。对于在太阳能工业中的应用，首先必须将生长的多晶棒破碎成为碎块。在现有技术中，已知各种不同的用于破碎硅棒的方法。US5, 660，335A公开了一种破碎方法，其中用高压水注射击晶体棒。...
【技术保护点】
用于破碎多晶硅棒的装置，该装置包括底座以及至少一个可移动的破碎凿及任选存在的至少一个不可移动的砧座，其中所述至少一个破碎凿的纵轴以平行于或者几乎平行于所述底座的表面的方式取向，其中位于所述底座的表面上的待破碎的硅棒能够各自在所述破碎凿与砧座之间以如下方式加以调节，所述破碎凿和砧座能够各自在所述硅棒的区域内与该硅棒接触，硅棒与砧座的接触点以及延伸穿过棒中心的硅棒横轴或者与该横轴平行并且相对于棒中心的距离最大为棒直径的30％的硅棒的轴各自位于所述破碎凿的纵轴上或者位于与所述破碎凿的纵轴平行并且相对于该破碎凿的纵轴的距离最大为棒直径的30％的轴上。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J·马特斯，P·格吕布尔，S·里斯，
申请(专利权)人：瓦克化学股份公司，
类型：发明
国别省市：
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