像素结构及其制造方法、阵列基板和液晶显示面板技术

技术编号:9596073 阅读:110 留言:0更新日期:2014-01-23 01:39
本发明专利技术公开了一种像素结构及其制造方法、阵列基板和液晶显示面板。该像素结构包括:栅线和数据线,所述栅线和所述数据线限定像素单元,所述像素单元包括:像素驱动单元、公共电极和像素电极,所述像素驱动单元与所述像素电极电连接,所述公共电极包括至少一个公共电极图形,所述像素电极包括至少一个像素电极图形,所述公共电极图形和所述像素电极图形相互嵌套且间隔设置,所述公共电极图形与相邻的所述像素电极图形之间形成使液晶分子偏转的电场。本发明专利技术的技术方案实现了四个方向的宽视角显示,从而使得四个方向的显示颜色均匀,且能够更好的抵消色畸变,增强色彩纯度。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种像素结构及其制造方法、阵列基板和液晶显示面板。该像素结构包括:栅线和数据线,所述栅线和所述数据线限定像素单元,所述像素单元包括:像素驱动单元、公共电极和像素电极,所述像素驱动单元与所述像素电极电连接,所述公共电极包括至少一个公共电极图形,所述像素电极包括至少一个像素电极图形,所述公共电极图形和所述像素电极图形相互嵌套且间隔设置,所述公共电极图形与相邻的所述像素电极图形之间形成使液晶分子偏转的电场。本专利技术的技术方案实现了四个方向的宽视角显示,从而使得四个方向的显示颜色均匀,且能够更好的抵消色畸变,增强色彩纯度。【专利说明】像素结构及其制造方法、阵列基板和液晶显示面板
本专利技术涉及显示
,特别涉及一种像素结构及其制造方法、阵列基板和液晶显示面板。
技术介绍
液晶显示面板(Liquid Crystal Display,简称:IXD)通过有选择性地改变设置在上基板和下基板之间的液晶的透光性来显示图像。根据施加在液晶上电场的方向,液晶显示面板可以大致分为垂直电场施加型液晶显示面板和水平电场施加型液晶显示面板。通常,扭曲向列(Twisted Nematic,简称:TN)型液晶显示面板为垂直电场施加型液晶显示面板,TN型液晶显示面板中,下基板上形成的像素电极和上基板上形成的公共电极之间产生垂直电场。TN型液晶显示面板具有开口率大的优点,但是存在显示图像视角(=90° )过窄的缺陷。为了解决TN型液晶显示面板显示图像视角过窄的缺陷,现有技术中提出了一种能够扩宽视角的平面转换(in-plane switching,简称:IPS)型液晶显示面板,该IPS型液晶显不面板为水平电场施加型液晶显不面板,IPS型液晶显不面板中,在下基板上形成相互平行的像素电极和公共电极,像素电极和公共电极之间形成水平电场。IPS型液晶显示面板中的像素结构由单畴模式改进为双畴模式,目的是为了改善单畴模式在某些特定角度的灰阶逆转现象。图1为现有技术中IPS型阵列基板的像素结构的示意图,如图1所示,该像素结构可包括:栅线I和数据线2,栅线I和数据线2限定像素单元3,像素单元3内形成有薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称:TFT) 4、公共电极5和像素电极6。数据线2呈“人”字形设置,条状的公共电极5和条状的像素电极6相互间隔且平行设置,并呈“人”字形排列在像素单元3内。条状的公共电极5通过公共电极连接图形7连接,条状的像素电极6通过像素电极连接图形8连接。如图1所示,像素结构工作时,液晶分子(图1中虚线所示)9初始取向近似平行于公共电极5和像素电极6。当数据信号电压通过数据线2输入后,公共电极5和像素电极6之间形成一个水平电场,该水平电场方向与液晶分子9初始取向方向形成一个大于45°的夹角,从而使初始的液晶分子9在同一平面内沿着水平电场方向扭转形成液晶分子(如图1中实线所示)10。通过调整数据信号电压的大小,可以控制液晶分子的扭转程度,进而可达到调制透过率的效果。但是,如图1所示,当数据信号电压通过数据线2输入后,液晶分子10的取向接近于水平方向,因此对于IPS型液晶显示面板来说只能形成上下方向的宽视角,当用户从左右方向观看该IPS型液晶显示面板时,会出现颜色不均匀的现象。同理,当数据信号电压通过数据线输入后,液晶分子的取向接近于垂直方向,对于IPS型液晶显示面板来说只能形成左右方向的宽视角,当用户从上下方向观看该IPS型液晶显示面板时,会出现显示颜色不均匀的现象。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构及其制造方法、阵列基板和液晶显示面板,用于实现四个方向的宽视角显示,从而使得四个方向的显示颜色均匀。为实现上述目的,本专利技术提供了一种像素结构,包括:栅线和数据线,所述栅线和所述数据线限定像素单元,所述像素单元包括:像素驱动单元、公共电极和像素电极,所述像素驱动单元与所述像素电极电连接,所述公共电极包括至少一个公共电极图形,所述像素电极包括至少一个像素电极图形,所述公共电极图形和所述像素电极图形相互嵌套且间隔设置,所述公共电极图形与相邻的所述像素电极图形之间形成使液晶分子偏转的电场。可选地,所述公共电极图形为环状结构,所述像素电极图形为环状结构。可选地,多个所述公共电极图形以至少一个“回”字形结构排列,多个所述像素电极图形以至少一个“回”字形结构排列。可选地,所述公共电极还包括:第一公共电极连接图形和第二公共电极连接图形,所述公共电极图形之间通过所述第一公共电极连接图形连接,相邻像素单元内的公共电极图形之间通过所述第二公共电极图形连接。可选地,所述像素电极还包括:像素电极连接图形,所述像素电极图形之间通过所述像素电极连接图形连接。可选地,位于最外侧且靠近所述栅线的所述像素电极图形上设置有凸出部,所述凸出部与所述栅线之间的重叠部分形成存储电容。为实现上述目的,本专利技术提供了一种阵列基板,包括:衬底基板和位于所述衬底基板上的上述像素结构。为实现上述目的,本专利技术提供了一种液晶显示面板,包括:相对设置的彩膜基板和上述阵列基板,所述彩膜基板和所述阵列基板之间设置有液晶分子。为实现上述目的,本专利技术提供了一种像素结构的制造方法,包括:形成栅线、数据线、像素驱动单元、公共电极和像素电极,所述栅线和所述数据线限定像素单元,所述像素驱动单元、所述公共电极和所述像素电极位于所述像素单元内,所述像素驱动单元与所述像素电极电连接,所述公共电极包括至少一个公共电极图形,所述像素电极包括至少一个像素电极图形,所述公共电极图形和所述像素电极图形相互嵌套且间隔设置,所述公共电极图形与相邻的所述像素电极图形之间形成使液晶分子偏转的电场。可选地,所述形成栅线、数据线、像素驱动单元、公共电极和像素电极包括:形成栅线、数据线、像素驱动单元和公共电极;形成像素电极。本专利技术具有以下有益效果:本专利技术提供的像素结构及其制造方法、阵列基板和液晶显示面板的技术方案中,公共电极包括至少一个公共电极图形,像素电极包括至少一个像素电极图形,公共电极图形和像素电极图形相互嵌套且间隔设置,公共电极图形与相邻的像素电极图形之间形成使液晶分子偏转的电场,采用上述像素结构在液晶显示面板的上、下、左、右四个方向液晶分子均会发生偏转,当用户观看液晶显示面板时可以从上、下、左、右四个方向观看到显示图像,实现了四个方向的宽视角显示,从而使得四个方向的显示颜色均匀,且能够更好的抵消色畸变,增强色彩纯度。【专利附图】【附图说明】图1为现有技术中IPS型阵列基板的像素结构的示意图;图2为本专利技术实施例一提供的一种像素结构的结构示意图;图3为图2中像素结构的工作原理示意图;图4为本专利技术实施例四提供的一种像素结构的制造方法的流程图。【具体实施方式】为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案,下面结合附图对本专利技术提供的像素结构及其制造方法、阵列基板和液晶显示面板。进行详细描述。图2为本专利技术实施例一提供的一种像素结构的结构示意图,如图2所示,该像素结构包括:栅线I和数据线2,栅线I和数据线2限定像素单元3,像素单元3包括:像素驱动单元4、公共电极5和像素电极6,像素驱动单元4与像素电极6电连接,公共电极5包括至少一个公共电极图形,像素电极6包括至少一个像素电极图形,本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种像素结构,包括:栅线和数据线,所述栅线和所述数据线限定像素单元,所述像素单元包括:像素驱动单元、公共电极和像素电极,所述像素驱动单元与所述像素电极电连接,其特征在于,所述公共电极包括至少一个公共电极图形,所述像素电极包括至少一个像素电极图形,所述公共电极图形和所述像素电极图形相互嵌套且间隔设置,所述公共电极图形与相邻的所述像素电极图形之间形成使液晶分子偏转的电场。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘国冬胡明
申请(专利权)人:合肥京东方光电科技有限公司京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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