一种高频晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法技术

本发明专利技术涉及无机非金属材料技术领域，特指一种高频晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法，配方组成包括（重量百分比）：(Sr0.96Ba0.04)TiO388-96%，Ba(Li1/4Nb3/4)O30.1-3%，Dy2O30.1-4%，SiO20.1-2.0%，Al2O30.1-2.5%，SrCO30.03-2.0%，ZnO-Li2O-Bi2O3玻璃粉（ZLB）0.1-2.0%，CuO0.01-2%。本发明专利技术采用常规的陶瓷电容器介质制备方法和一次烧结工艺方法，利用电容器陶瓷普通化学原料，制备得到无铅、无镉的高频晶界层陶瓷电容器介质，还能降低电容器陶瓷的烧结温度，该介质适合于制备单片陶瓷电容器和单层片式陶瓷电容器。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及无机非金属材料
，特指，配方组成包括（重量百分比）：(Sr0.96Ba0.04)TiO388-96%，Ba(Li1/4Nb3/4)O30.1-3%，Dy2O30.1-4%，SiO20.1-2.0%，Al2O30.1-2.5%，SrCO30.03-2.0%，ZnO-Li2O-Bi2O3玻璃粉（ZLB）0.1-2.0%，CuO0.01-2%。本专利技术采用常规的陶瓷电容器介质制备方法和一次烧结工艺方法，利用电容器陶瓷普通化学原料，制备得到无铅、无镉的高频晶界层陶瓷电容器介质，还能降低电容器陶瓷的烧结温度，该介质适合于制备单片陶瓷电容器和单层片式陶瓷电容器。【专利说明】
本专利技术涉及无机非金属材料
，特指，它采用常规的陶瓷电容器介质制备方法和一次烧结工艺方法，利用电容器陶瓷普通化学原料，制备得到无铅、无镉的高频晶界层陶瓷电容器介质，还能降低电容器陶瓷的烧结温度，该介质适合于制备单片陶瓷电容器和单层片式陶瓷电容器，能大大降低陶瓷电容器的成本，该介质介电常数较高，容易实现陶瓷电容器的小型化，而且温度特性好，同时能提高耐电压和色散频率高以扩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于所述介质组成按照重量百分比计算为：(Sr0.96Ba0.04)TiO3?88?96%，Ba(Li1/4Nb3/4)O3?0.1?3%，Dy2O3?0.1?4%，SiO2?0.1?2.0%，Al2O30.1?2.5%，SrCO30.03?2.0%，ZnO?Li2O?Bi2O3玻璃粉0.1?2.0%，CuO0.01?2%；其中(Sr0.96Ba0.04)TiO3、Ba(Li1/4Nb3/4)O3和ZnO?Li2O?Bi2O3玻璃粉分别是采用常规的化学原料以固相法合成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄新友，李军，高春华，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：