一种用于陶瓷材料晶粒晶界性能测试电极及其测试方法技术

一种用于陶瓷材料晶粒晶界性能测试电极及其测试方法，涉及一种测试电极。提供一种用于陶瓷材料的晶粒晶界性能测试电极及其测试方法。测试电极设有校准环、基电极和标向图，基电极设在校准环上，基电极由圆电极在水平、竖直及对角线３个方向引出细线组成，圆电极呈阵列排布；标向图设在基电极四周。制备富ＣｕＯ的陶瓷材料粉体，干压成陶瓷圆片，保温，表面处理得晶界清晰的陶瓷表面，在表面制备电极；进行Ｉ－Ｖ特性的测量。无需通过繁琐的工艺制备单晶；便于测量、后期数据的比较分析和后期重复实验；无需使用昂贵的微细探针，且只要借助光学显微镜即可完成测量而无须借助ＡＦＭ；细线间的距离可根据样品间距的大小来调节，便于各种配方的测量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种测试电极，尤其是涉及一种用于陶瓷材料晶粒晶界性能测试电极及其测试方法。
技术介绍
电子陶瓷在电子及电气设备中的应用越来越广泛，其优异的性能与其微观结构有 着密切的关系。电子陶瓷存在着内界面或晶界，它们多半是多晶半导体，通过控制半导体结 及界面可以得到预期的电学性能。通过研究，了解和掌握电子陶瓷性能与其微观结构的关 系，就能有目的通过实验设计，掺杂、改善制备工艺来得到所需性能的材料，这将对材料的 发展起到巨大的推动作用。因此，对电子陶瓷性能微观性能的研究引起了广大研究者的兴 趣。 传统的电子陶瓷性能分析方法都是采用宏观的分析方法，如阻抗分析法、频谱 分析法和时域分析法等，这些方法都是通过测量块体或圆片的方法的介电性能，从而从 理论上推知晶粒和晶界的相关性能，并不能直接的测量出，无法直观的进行相关分析。 近年来，一些研究人员也开始进行单晶界实验。最早的是有关单个BaTi(^晶界的PTC 行 为，P. Gerthsen等 (P. Gerthsen， B. Hoffmann， Current-voltage characteristics and capacitance本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于陶瓷材料晶粒晶界性能测试电极，其特征在于设有校准环、基电极和标向图，基电极设在校准环上，基电极由圆电极在水平、竖直及对角线３个方向引出细线组成，圆电极呈阵列排布；标向图设在基电极四周。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊兆贤，曹泽亮，喻荣，薛昊，洪礼清，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]