一种惯性传感器的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种制造惯性传感器的方法。惯性传感器包括至少一个测量梁（23）和一个由标准质量块（13）以及可变形板（14）构成的活性体，所述活性体通过板（14）被保持悬浮在一个密闭腔内，测量梁（23）将与标准质量块（13）的一部分连接至前述密闭腔的内壁，所述测量梁（23）的厚度比标准质量块（13）小。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及惯性传感器领域，例如加速度计或者速率陀螺仪，其形成于MEMS (“微机电系统”)或NEMS (“纳机电系统”)技术中。本专利技术尤其涉及一种制造谐振式或者具有例如为压阻式的变阻器的惯性梁测量传感器的方法。
技术介绍
一个惯性传感器，例如加速度计，尤其能够测量载有加速度计的物体的加速度。这样的传感器特别地包括一个标准质量块(也称为检测质量块)，该质量块接合至一个或若干测量梁。当传感器移动时，标准质量块受到惯性力作用，引起梁的张力。对于谐振式测量梁，标准质量块的质量引起的张力导致谐振器频率的改变。对于可变阻力式测量梁，如压阻式，标准质量块的质量引起的张力导致电阻的改变。通过这样的性能可以计算加速度。通常，用一个大质量的标准质量块来最大化移动中的惯性力是比较好的方法，这样可以对测量梁产生足够的张力。除此之外，用厚度尽可能小的测量梁去最大化由标准质量块作用于测量梁上的张力也是比较好的。文献EP2211185公开了一种传感器,该传感器的标准质量块的厚度大于梁，同时该文献还公开了两种基于SOI (“绝缘体上硅结构”)技术制造该传感器的方法。根据上述文献中描述的第一种制造方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种惯性传感器的制造方法，其特征在于，它至少包括：通过蚀刻第一基片（1）的第一活性层（10），形成至少一个活性体，所述活性体由一个标准质量块（13）和可变形板（14）构成，所述第一活性层（10）具有第一厚度（e1）；通过蚀刻第二基片（2）的第二活性层（20），形成至少一个测量梁（23），所述第二活性层（20）具有比所述第一厚度（e1）小的第二厚度（e2）；密封第一活性层（10）与第二活性层（20）；移除所述第一基片（1）的非活性层（11,12）；通过蚀刻第三基片（30）形成第一空腔（30）；密封所述第三基片（3）与所述第一基片（1）的活性层，所述活性体被置于所述第一空腔（30）内；移除所述第二...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.03.03 FR 11517461.一种惯性传感器的制造方法，其特征在于，它至少包括: 通过蚀刻第一基片(I)的第一活性层(10)，形成至少一个活性体，所述活性体由一个标准质量块(13)和可变形板(14)构成，所述第一活性层(10)具有第一厚度(ei)； 通过蚀刻第二基片(2)的第二活性层(20)，形成至少一个测量梁(23)，所述第二活性层(20)具有比所述第一厚度(ei)小的第二厚度(e2);密封第一活性层(10)与第二活性层(20)； 移除所述第一基片(I)的非活性层(11，12)； 通过蚀刻第三基片(30)形成第一空腔(30)； 密封所述第三基片(3)与所述第一基片(I)的活性层，所述活性体被置于所述第一空腔(30)内； 移除所述第二基片(2)的非活性层(21，22) 通过蚀刻第四基片(4)形成第二空腔(40);以及 密封所述第四基片(4)与所述第二基片(2)的活性层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征是进一步包括在所述活性体和所述测量梁之间形成电接触。3.根据权利要求2所述的方法，其特征是所述电接触在密封所述第一活性层与第二活性层时形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂法纳·雷纳德，安托万·菲利佩，若埃尔·科莱，
申请(专利权)人：电子微系统公司，
类型：
国别省市：