一种掩膜板、基板及基板的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种掩膜板、基板及基板的制作方法，涉及显示技术领域，解决了现有技术中掩膜板对位时无法实现精度对位的问题。一种掩膜板，包括曝光图案，其中，所述曝光图案包括第一曝光图案和第二曝光图案，其中，所述第一曝光图案用于形成对应的薄膜图案，所述第二曝光图案用于掩膜板的曝光对位，且至少所述第二曝光图案的透光性可调节。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了，涉及显示
，解决了现有技术中掩膜板对位时无法实现精度对位的问题。一种掩膜板，包括曝光图案，其中，所述曝光图案包括第一曝光图案和第二曝光图案，其中，所述第一曝光图案用于形成对应的薄膜图案，所述第二曝光图案用于掩膜板的曝光对位，且至少所述第二曝光图案的透光性可调节。【专利说明】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及。
技术介绍
现有的液晶显示器，包括阵列基板、彩膜基板以及封装在阵列基板和彩膜基板之间的液晶。其中，阵列基板和彩膜基板上包括多层薄膜图案，在制作过程中，每一层薄膜图案通过一次曝光工艺形成。具体的，以彩膜基板为例，如图1所示，包括透明基板1、黑矩阵膜层2，彩色膜层3，平坦层4以及隔垫物层5。彩膜基板在制作过程中各膜层是分别经过一次曝光形成的，则由于各膜层之间具有位置关系，在第一层膜层即黑矩阵膜层制作完成之后，每一层膜层的制作都需要与第一层膜层进行对位。现有技术中，通过在掩膜板设置专门用于对位的曝光图案以使得各膜层实现精准对位。具体的，彩膜基板在制作过程中，首先通过第一掩膜板的在透明基板I上形成黑矩阵图案以及第一薄膜基准图案，其中，第一掩膜板设置有第一基准曝光图案，用于形成第一薄膜基准图案；制作彩色膜层3的过程中，通过使得第二掩膜板的第二对位曝光图案与第一基准曝光图案进行对位，在基板上形成彩色膜层以及第二薄膜对位图案。但当制作保护膜层4时，由于第二掩膜板上的第二对位曝光图案，则后续的掩膜板的对位曝光图案无法直接与第一掩膜板的第一基准曝光图案进行直接对位，而是通过其他掩膜板进行对位，这样各膜层的对位精度差。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供，所述基板通过所述掩膜板形成，且利用所述掩膜板形成基板可提高基板上各膜层的对位精度。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:本专利技术实施例提供了一种掩膜板，包括曝光图案，其中，所述曝光图案包括第一曝光图案和第二曝光图案，其中，所述第一曝光图案用于形成对应的薄膜图案，所述第二曝光图案用于掩膜板的曝光对位，且至少所述第二曝光图案的透光性可调节。可选的，所述第一曝光图案的透光性可调节。可选的，所述掩膜板还包括:第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和第二电极之间电致变色材料层，用于形成透光性可调节的曝光图案。可选的，在电致变色材料层与第一电极和第二电极之间分别设置电解质层和离子存储层。可选的，所述第二曝光图案透光或不透光。可选的，所述第二曝光图案的线宽小于曝光机的分辨率。可选的，所述第二曝光图案的图案线为中空结构或为锯齿结构。本专利技术实施例提供了一种基板，包括衬底以及设置在所述衬底上的至少一层薄膜图案，且所述衬底上的至少一层薄膜图案是通过本专利技术实施例提供的任一所述的掩膜板曝光形成。本专利技术实施例提供了一种基板的形成方法，包括:将掩膜板与衬底进行对位；设置掩膜板的第二曝光图案为透光；利用掩膜板在衬底上形成与掩膜板第一曝光图案对应的第一薄膜图案；其中，所述掩膜板为本专利技术实施例提供的任一所述的掩膜板。可选的，在将掩膜板与衬底进行对位之前，所述方法还包括:在衬底上形成第二薄膜图案以及对位图案；所述将掩膜板与衬底进行对位具体为:将掩膜板上的第二曝光图案与衬底上的对位图案进行对位。本专利技术实施例提供的，所述掩膜板包括曝光图案，其中，所述曝光图案包括第一曝光图案和第二曝光图案，其中，所述第一曝光图案用于形成对应的薄膜图案，所述第二曝光图案用于掩膜板的曝光对位，且至少所述第二曝光图案的透光性可调节，则在利用所述掩膜板进行曝光时，在利用掩膜板的第二曝光图案进行对位完成之后，将所述掩膜板的第二曝光图案设置为透光，则在基板上不形成与第二掩膜的第二曝光图案对应的薄膜图案，有利于其他掩膜板进行精准对位。【专利附图】【附图说明】图1为现有技术中的彩膜基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种掩膜板的示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种基板的制作方法示意图；图4为本专利技术实施例提供的另一种基板的制作方法示意图；图5为本专利技术实施例提供的形成图1所示的彩膜基板的制作方法示意图；附图标记:1-透明基板；2_黑矩阵膜层；3_彩色膜层；4_平坦层；5_隔垫物层；10-第一曝光图案；20-第二曝光图案；100_掩膜板。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。需要说明的是，现有的构图工艺一般通过掩膜板形成需要的薄膜图案，其具体工艺包括:在薄膜上涂胶，利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，再利用显影液将需去除的光刻胶冲蚀掉，再刻蚀掉未覆盖光刻胶的薄膜部分，最后将剩下的光刻胶剥离。其中，根据所述光刻胶的不同，所述掩膜板在所述基板上形成的薄膜图案相同或者相对。具体的，当所述光刻胶为正性光刻胶，则所述掩膜板的不透光区对应的光刻胶完全保留，所述透光区域对应的光刻胶被完全去除，即薄膜图案对应掩膜板的不透光区。若所述光刻胶为负性光刻胶，则所述掩膜板的全透光区对应的光刻胶完全保留，所述不透光区对应的光刻胶被完全去除，即薄膜图案对应掩膜板的透光区。且本专利技术实施例中以所述光刻胶为正性光刻胶为例进行详细说明。负性光刻胶的掩膜板设置与正性光刻胶相反，在这里就不作赘述。如图2所示，本专利技术实施例提供了一种掩膜板100，包括曝光图案，其中，所述曝光图案包括第一曝光图案10和第二曝光图案20,其中，所述第一曝光图案10用于形成对应的薄膜图案，所述第二曝光图案20用于掩膜板的曝光对位，且至少所述第二曝光图案20的透光性可调节。需要说明的是，如图2所示，所述第二曝光图案20可以包括多个图案，在以所述第二曝光图案进行对位时，有利于进行精准对位。所述第二曝光图案的透光性可调节，即所述第二曝光图案可以是完全透光、完全不透光或部分透光等。本专利技术实施例提供的一种掩膜板，所述掩膜板的第二曝光图案的透光性可调节，即在需要时可以设置所述第二薄膜图案为完全不透光，还可以设置所述第二薄膜图案为完全透光，还可以设置所述第二薄膜图案为部分透光。以所述光刻胶为正性光刻胶为例，则当所述第二薄膜图案为完全不透光时，在基板上形成与第二曝光图案对应的图案；当所述第二薄膜图案为完全透光时，在基板上不形成与第二曝光图案对应的图案。需要说明的是，当设置所述第二薄膜图案为部分透光时，所述掩膜板可以是半灰度或半灰阶掩膜板，此时掩膜板第二薄膜图案在基板上不会形成对应的薄膜图案。其中，所述至少所述第二曝光图案的透光性可调节，即所述掩膜可以是所述第一曝光图案的透光性固定的不可调，仅所述第二曝光图案的透光性可调节；还可以是所述第一曝光图案和所述第二曝光图案的透光性均可调。且当第一曝光图案的透光性可调或不可调，其具体的图案需要根据具体情况进行设置。具体的，利用本专利技术实施例提供的掩膜进行掩膜精确对位在后面将列举一具体的实施例进行详细说明。可选的，所述第一曝光图案的透光性可调节。即所述掩膜板上的曝光图案的透光性均可调节。可选的，所述掩膜板还包括:第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和第二电极之间电致变色材料层，用于形成透光性可调节的曝光图案。具体的，电致变色材料层形成曝光图案，当与所述电致变色图案正对的第一电极图案和第二电极图案本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜板，包括曝光图案，其特征在于，所述曝光图案包括第一曝光图案和第二曝光图案，其中，所述第一曝光图案用于形成对应的薄膜图案，所述第二曝光图案用于掩膜板的曝光对位，且至少所述第二曝光图案的透光性可调节。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：