一种功率半导体器件冷却装置制造方法及图纸

技术编号:9557142 阅读:92 留言:0更新日期:2014-01-09 22:47
一种功率半导体器件冷却装置,具有上表面安装功率半导体器件、下表面设有开口、侧壁为环状的安装器和紧密安装于所述安装器开口下的冷却介质容器以及安装于所述安装器上面和下面的安装O型圈,所述冷却介质容器至少一个侧面上设有冷却介质流通口,所述冷却介质容器上表面至少设有一个开口。本实用新型专利技术的优点是:能均匀散热并提高热交换效率,防止芯片温升过大和芯片温度变化率过大而损坏,低成本。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种功率半导体器件冷却装置,其特征在于具有:上表面安装功率半导体器件、下表面设有开口、侧壁为环状的安装器和紧密安装于所述安装器下表面开口下的冷却介质容器以及安装于所述安装器上面和下面的O型圈,所述冷却介质容器一个侧面上设有冷却介质入口,所述冷却介质容器上表面至少设有一个开口,所述冷却介质容器安装有液位检测器和至少一个温度传感器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨玉春谷孝娟王国强
申请(专利权)人:北京睿德昂林新能源技术有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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