本发明专利技术提供在低-中-高速电子照相设备中在不需要预曝光装置下具有充分的带电性能并可以使感光构件均匀带电的充电构件。还提供可以防止发生多色重影图像或类似地可以稳定地形成高级电子照相图像的处理盒和电子照相设备。所述充电构件包括基体、弹性层和表面层，其中所述表面层包含具有Si-O-Nb键的高分子化合物；所述高分子化合物具有由下式(1)表示的构成单元和由下式(2)表示的构成单元：式(1)式(2)NbO5/2。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供在低-中-高速电子照相设备中在不需要预曝光装置下具有充分的带电性能并可以使感光构件均匀带电的充电构件。还提供可以防止发生多色重影图像或类似地可以稳定地形成高级电子照相图像的处理盒和电子照相设备。所述充电构件包括基体、弹性层和表面层，其中所述表面层包含具有Si-O-Nb键的高分子化合物；所述高分子化合物具有由下式(1)表示的构成单元和由下式(2)表示的构成单元：式(1)式(2)NbO5/2。【专利说明】充电构件、处理盒和电子照相设备
本专利技术涉及充电构件、处理盒和电子照相设备。
技术介绍
目前，作为使电子照相感光构件表面带静电的方法之一，接触充电法已实用化。接触充电法为将电压施加至与感光构件接触配置的充电构件，从而在充电构件与感光构件之间的接触部及其附近引起微小放电以使感光构件表面带静电的方法。对于以接触充电法使用的充电构件，从充分地和均匀地确保充电构件与感光构件之间的接触辊隙的观点，通常构成为具有导电性的弹性层。然而，此类导电性弹性层经常以相对大的量包含低分子量组分，因此低分子量组分可能滲出至充电构件表面并且粘附至感光构件。因此，为了防止低分子量组分渗出至充电构件表面，在一些情况下在导电性弹性层上设置表面层。如今，接触充电法中，为了使充电组件和电子照相设备小型化并且还实现成本降低，在一些情况下采用将仅由直流电压组成的电压施加至充电构件的方法(下文中也称作“DC接触充电法”)。然而，作为当采用DC接触充电法时涉及的问题，可能发生使感光构件充电时充电第一周期与充电第二周期及之后的充电周期的饱和电位之间产生电位差。此类电位差引起如下现象:当再现文字或黑色图形的图像后连续再现半色调图像时，在半色调图像上出现之前即刻再现的文字或黑色图形的任何痕迹。本说明书中，出现之前即刻再现的该图像的任何痕迹的图像还称作“重影图像”。于是，出于防止发生重影图像的目的，专利文献I提议使充电构件表面层的电阻值高并且还薄膜化，并且进一歩使其导电性弹性层的电阻值低。引文列表专利文献专利文献1:日本专利申请特开2009-086263
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，全色电子照相图像形成设备中，存在发生由上述电位差的种类不同的电位差引起的“多色重影图像”的问题。以下说明发生“多色重影图像”的原因。即，作为全色电子照相图像形成设备，在本领域中已知使用中间转印构件的全色电子照相图像形成设备。通过使用中间转印构件形成全色电子照相图像通过如下进行:在多个感光构件上形成各色的调色剂图像，将各色的调色剂图像从各感光构件顺次转印至中间转印构件，此后将中间转印构件上保持的多色调色剂图像一起转印至记录介质如纸。此处，当中间转印构件以中间转印构件上保持调色剂图像的状态与下ー站(next-station)感光构件接触时，因为从中间转印构件流至感光构件的电流量在中间转印构件上形成调色剂图像的部分和中间转印构件上未形成调色剂图像的部分之间不同，所以在感光构件上不可避免地发生电位差。对于其上发生此类电位差的感光构件，如果当使感光构件带电以在其上形成新的电子照相图像时不能消除电位差，则新形成电子照相图像中可能发生由电位差引起的浓度不均匀。发生该浓度不均匀的电子照相图像称作“多色重影图像”。与任何感光构件接触的中间转印构件保持的调色剂层数越大，在感光构件上产生的电位差就会越大。结果，存在电子照相图像中也更大幅地发生浓度不均匀的趋势。于是，使处理速度越高，越趋于发生多色重影图像。作为防止发生多色重影图像的方法，已知在借助于充电构件使感光构件一次充电以前，通过使用预曝光装置除去感光构件上发生的电位差的方法。然而，如果不使用此类预曝光装置可以防止发生多色重影图像，则这可以使得电子照相设备和处理盒小型化并且还可以实现成本降低。因此，本专利技术g在提供具有优异的充电性能并且即使对于其上已发生电位差的感光构件也可以进行均匀充电至规定电位的充电构件。本专利技术还g在提供两者均可以稳定地形成高级电子照相图像的电子照相设备和处理盒。用于解决问题的方案根据本专利技术的一方面，提供具有基体、弹性层和表面层的充电构件，其中表面层包含具有S1-O-Nb键的高分子化合物；高分子化合物具有由下式(I)表示的构成单元和由下式(2)表示的构成单元。`式(I)【权利要求】1.ー种充电构件，所述充电构件包括基体、弹性层和表面层；其中所述表面层包含具有S1-O-Nb键的高分子化合物；所述高分子化合物具有由下式(I)表示的构成单元和由下式(2)表示的构成单元: 2.根据权利要求1所述的充电构件，其中，所述高分子化合物中，式(I)中的R1和R2各自独立地为由下式(7)至(10)表示的结构的任ー种: 3.根据权利要求1或2所述的充电构件，其中，所述高分子化合物中，铌原子数与硅原子数之比Nb/Si为0.1以上且12.5以下。4.根据权利要求1至3任一项所`述的充电构件，其中所述高分子化合物为由下式(11)表示的可水解化合物和由下式(12)表示的可水解化合物的交联产物: 式(11) R33-Si (OR34) (OR35) (OR36) 式(12) Nb (OR37) (OR38) (OR39) (OR40) (OR41) 其中，式(11)中，R33表示各自具有环氧基的由下式(13)至(16)表示的结构的任ー种；R34至R36各自独立地表示烃基；以及式(12)中，R37至R41各自独立地表示烃基: 式(13) 5.根据权利要求1至3任一项所述的充电构件，其中所述高分子化合物为由下式(11)表示的可水解化合物、由下式(12)表示的可水解化合物和由下式(17)表示的可水解化合物的交联产物: 式(11) 6.一种电子照相设备，所述电子照相设备包括电子照相感光构件，以及与所述电子照相感光构件接触配置的根据权利要求1至5任一项所述的充电构件。7.—种处理盒，所述处理盒包括电子照相感光构件和与所述电子照相感光构件接触配置的根据权利要求1至5任一项所述的充电构件，并且所述处理盒构成为可拆卸地安装至电子照相设备的主体。【文档编号】G03G15/02GK103502895SQ201280020428 【公开日】2014年1月8日 申请日期:2012年4月24日 优先权日:2011年4月28日【专利技术者】益启贵, 黑田纪明, 儿玉真隆, 铃村典子, 友水雄也 申请人:佳能株式会社本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：益启贵，黑田纪明，儿玉真隆，铃村典子，友水雄也，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：
国别省市：
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