一种提拉法制备石墨烯透明导电薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种提拉法制备石墨烯透明导电薄膜的方法，包括：在室温条件下，将玻璃片清洗，干燥，等离子体氧化处理，最后隔绝空气分开静置；在室温条件下，将氧化石墨配制成分散液，分散处理，离心，取离心后的上清液再离心，然后将沉淀分散在蒸馏水中，得到氧化石墨分散溶液；然后在60-80℃恒温处理15-20min，玻璃片在分散液中进行提拉处理，得到处理后的玻璃片；将装有处理后的玻璃片的容器放入装有水合肼的容器中，加密封膜，90-100℃条件下，恒温处理12-24h，即得。本发明专利技术的制备方法简单，产量大；薄膜的透过率高，尺寸可控，分布均匀，稳定性好。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及，包括：在室温条件下，将玻璃片清洗，干燥，等离子体氧化处理，最后隔绝空气分开静置；在室温条件下，将氧化石墨配制成分散液，分散处理，离心，取离心后的上清液再离心，然后将沉淀分散在蒸馏水中，得到氧化石墨分散溶液；然后在60-80℃恒温处理15-20min，玻璃片在分散液中进行提拉处理，得到处理后的玻璃片；将装有处理后的玻璃片的容器放入装有水合肼的容器中，加密封膜，90-100℃条件下，恒温处理12-24h，即得。本专利技术的制备方法简单，产量大；薄膜的透过率高，尺寸可控，分布均匀，稳定性好。【专利说明】
本专利技术属于透明导电薄膜的制备领域，特别涉及。
技术介绍
自2004年科学家制备出石墨烯以来，它就以独特的二维结构和优异的性能吸引着众多学者的关注。研究发现，石墨烯具有优良的机械性能和电学性能，也是制备透明导电膜的理想材料。虽然市场上ITO (氧化铟锡)透明导电薄膜仍占主要份额，但是ITO内在的脆性及成本问题使它未来的发展受到了很大的限制。因此，寻找高机械性能、低成本的薄膜材料成了科学界和生产界竞相追逐的目标。具有高导电性和高透光率的石墨烯透明导电薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提拉法制备石墨烯透明导电薄膜的方法，包括：（1）在室温条件下，将玻璃片清洗，干燥，等离子体氧化处理，最后隔绝空气分开静置；（2）在室温条件下，将氧化石墨配制成分散液，分散处理，离心，取离心后的上清液再离心，然后将沉淀分散在蒸馏水中，得到氧化石墨分散液；（3）将上述氧化石墨分散液在60?80℃恒温处理15?20min，然后对步骤（1）中的玻璃片在分散液中进行提拉处理，在玻璃片表面制得氧化石墨薄膜；（4）将装有处理后的玻璃片的容器放入装有水合肼的容器中，加密封膜，90?100℃条件下，恒温处理12?24h，即在玻璃片表面得到石墨烯透明导电薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李耀刚，沈红伟，侯成义，张青红，王宏志，
申请(专利权)人：东华大学，
类型：发明
国别省市：