抗蚀剂层的薄膜化处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术的课题在于提供一种能够解决抗蚀剂图案的形成中的分辨性和追随性的问题并解决在抗蚀剂层的薄膜化处理中成为问题的气泡导致的处理不均的问题的抗蚀剂层的薄膜化处理装置。抗蚀剂层的薄膜化处理装置具有用于借助碱性水溶液将抗蚀剂层薄膜化处理的浸渍槽、对形成有抗蚀剂层的基板在浸渍于碱性水溶液体中的状态下进行运送的运送辊对，其特征在于，在抗蚀剂层的薄膜化处理装置中具有气泡抑制装置。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
抗蚀剂层的薄膜化处理装置
[0001 ] 本技术涉及抗蚀剂层的薄膜化处理装置。
技术介绍
随着电气以及电子部件的小型化、轻量化、多功能化，对于以回路形成用的干膜抗蚀剂、焊料抗蚀剂为首的感光性树脂(感光性材料)，要求用于与印刷配线板的高密度化对应的高分辨率。这些感光性材料如下地制作：将作为原料的感光性树脂曝光后显影而形成图像。为了与印刷配线板的小型化、高功能化对应，感光性树脂具有薄膜化的倾向。感光性树脂具有涂敷液体而使用的类型(液状抗蚀剂）和干膜类型(干膜抗蚀剂)。最近，开发了15 μ m以下的厚度的干膜抗蚀剂，其产品化正在推进。但是，在这样的薄的干膜抗蚀剂时，与以往的厚度的抗蚀剂相比，密接性以及对凹凸的追随性不充分，存在产生剥离及空隙等的问题。为了改善上述的点，提出了使用厚的感光性树脂并能够实现高分辨率的各种的手段。例如，在利用减去法制作导电图案的方法中，公开了下述导电图案的形成方法，其特征在于，在绝缘层的单面或者两面设置金属层形成层叠基板，在该层叠基板上贴付干膜抗蚀剂而形成抗蚀剂层，然后进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着，进行回路图案的曝光工序、显影工序、蚀刻工序(例如参照专利文献I)。此外，在形成焊料抗蚀剂图案的方法中，公开了下述焊料抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于，在具有导电图案的回路基板上形成由焊料抗蚀剂构成的抗蚀剂层，然后进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着进行图案的曝光工序，再次进行包含抗蚀剂层的薄膜化处理的薄膜化工序(例如专利文献2以及3)。薄膜化工序至少包含使用碱性水溶液令未曝光部的抗蚀剂层的光交联性树脂成分胶束化的胶束化处理(薄膜化处理)、利用PH5?9的碱性水溶液除去胶束的胶束除去处理、用水清洗表面的水洗处理、除去清洗水的干燥处理的四阶段的处理。而且，利用碱性水溶液中的薄膜化处理的处理时间来控制薄膜化的进行。但是，在碱性水溶液中存在气泡，在该气泡与未曝光部的抗蚀剂层的光交联性树脂成分接触时，存在与气泡接触的部分的薄膜化的进行受到妨碍的问题。在薄膜化的进行受到妨碍的部分，抗蚀剂层变厚而残存，所以在减去法的导电图案形成中成为蚀刻不良的原因，在焊料抗蚀剂的图案形成中，成为连接焊盘部的接触不良的原因，都会产生导致生产的成品率下降的问题。进而，在曝光工序后，经由包含基于碱性水溶液的抗蚀剂层的薄膜化处理的薄膜化工序，再次进行曝光工序，接着，再次进行包含基于碱性水溶液的抗蚀剂层的薄膜化处理的薄膜化工序，这种情况下，气泡的接触对于抗蚀剂层的薄膜化的阻害变得更为严重。在通过反复进行曝光工序和薄膜化工序而阶段地令未曝光部的抗蚀剂层薄膜化时，在形成于抗蚀剂层的曝光部和未曝光部的边界的阶梯部处特别容易残存气泡，气泡接触了的部分的抗蚀剂层的薄膜化在之后受到妨碍。例如，在反复进行两次曝光工序和包含薄膜化处理的薄膜化工序时，在第二次的薄膜化部位于与第一次的薄膜化部相同或者其内侧的区域时，在第二次的薄膜化处理时，在形成于第一次的曝光部和第一次的薄膜化部的边界处的阶梯内部有容易残存气泡的倾向。此外，在专利文献4中公开了一种将形成有抗蚀剂层的基板在薄膜化处理液(碱性水溶液）中浸溃（dip)而用于令抗蚀剂层薄膜化的薄膜化处理装置。对于专利文献4公开的薄膜化处理装置，使用附图进行说明。图5以及6是专利文献4所记载的薄膜化处理装置的概略剖视图。图5是从垂直于基板的运送方向（MD方向）的方向（⑶方向)看的概略剖视图，图6是从基板的运送方向（MD方向）看的概略剖视图。在该薄膜化处理装置中，利用运送辊对12将形成有抗蚀剂层的基板8在浸溃于浸溃槽10中的碱性水溶液9中的状态下进行运送，进行抗蚀剂层的薄膜化处理。碱性水溶液9从装置下部的碱性水溶液贮藏容器13借助碱性水溶液供给泵14而经由碱性水溶液供给口 11被供给至浸溃槽10，令其溢流。溢流后的碱性水溶液9被回收到碱性水溶液回收槽30,通过回收管21而从回收管排出口 22排出，被贮藏于碱性水溶液贮藏容器13。通过反复进行而令碱性水溶液9在浸溃槽10与碱性水溶液贮藏容器13之间循环。在图5以及6所示的薄膜化处理装置中，在令碱性水溶液9循环时，在由于溢流而碱性水溶液9从浸溃槽10向碱性水溶液贮藏容器13落下时，在碱性水溶液9中产生气泡15，该气泡15借助碱性水溶液9的循环而附着于基板8的抗蚀剂层，阻碍薄膜化的进行，有时会产生膜厚变得不均的处理不均。专利文献I :国际公开第2009/096438号手册专利文献2 :日本特开2011-192692号公报专利文献3 :国际公开第2012/043201号手册专利文献4 :日本特开2012-27299号公报。
技术实现思路
本技术的课题在于提供一种抗蚀剂层的薄膜化处理装置，在能够解决分辨性和追随性的问题的抗蚀剂图案的形成方法中使用的抗蚀剂层的薄膜化处理装置中，能够解决气泡导致的处理不均的问题。用于解决课题的手段本技术的【专利技术者】为了解决该课题而进行了研究，结果发现通过下述手段能够解决上述课题。(I) 一种抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有：浸溃槽，用于利用碱性水溶液对抗蚀剂层进行薄膜化处理；运送辊对，对形成有抗蚀剂层的基板在浸溃在碱性水溶液中的状态下进行运送，其特征在于，在抗蚀剂层的薄膜化处理装置中具有气泡抑制装置。(2)如上述（I)所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有向浸溃槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给口，气泡抑制装置是配置在碱性水溶液供给口和运送辊对之间的气泡引导板。(3)如上述（I)或（2)所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有：用于向浸溃槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给泵、用于将从浸溃槽溢流的碱性水溶液送往碱性水溶液贮藏容器的回收管、和贮藏从浸溃槽溢流的碱性水溶液的碱性水溶液贮藏容器，气泡抑制装置是配备在碱性水溶液贮藏容器内部的气泡引导板。(4)如上述（I)?（3)的任意一项所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有：用于向浸溃槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给泵、用于将从浸溃槽溢流的碱性水溶液送往碱性水溶液贮藏容器的回收管、和贮藏从浸溃槽溢流的碱性水溶液的碱性水溶液贮藏容器，气泡抑制装置是设置在比碱性水溶液贮藏容器的碱性水溶液的液面靠下方的回收管排出□。(5)如上述（I)?（4)的任意一项所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有向浸溃槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给口，气泡抑制装置是配备于浸溃槽的超声波发生装置。(6)如上述（I)?（5)的任意一项所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有：用于向浸溃槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给泵、用于将从浸溃槽溢流的碱性水溶液送往碱性水溶液贮藏容器的回收管、和贮藏从浸溃槽溢流的碱性水溶液的碱性水溶液贮藏容器，气泡抑制装置是配备于碱性水溶液贮藏容器的超声波发生装置。(7)如上述（I)?（6)的任意一项所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有：用于向浸溃槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给泵、用于将从浸溃槽溢流的碱性水溶液送往碱性水溶液贮藏容器的回收管、和贮藏从浸溃槽溢流的碱性水溶液的碱性水溶液贮藏容器，气泡抑制装置是配备在浸溃槽中的比碱性水溶液的液面低的位置的碱性水溶液喷出口。技术的效果能够提供一种抗蚀剂层的薄膜化处理装置，在能够解决分辨性和追随性的问题的抗蚀剂图案的形成方法中所使用的抗蚀剂层的薄膜化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有：浸渍槽，用于借助碱性水溶液对抗蚀剂层进行薄膜化处理；运送辊对，对形成有抗蚀剂层的基板在浸渍在碱性水溶液中的状态下进行运送，其特征在于，在抗蚀剂层的薄膜化处理装置中具有气泡抑制装置。

【技术特征摘要】
2012.02.10 JP 2012-027583;2012.09.14 JP 2012-20221.一种抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有：浸溃槽，用于借助碱性水溶液对抗蚀剂层进行薄膜化处理；运送辊对，对形成有抗蚀剂层的基板在浸溃在碱性水溶液中的状态下进行运送，其特征在于，在抗蚀剂层的薄膜化处理装置中具有气泡抑制装置。2.根据权利要求I所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，其特征在于，具有向浸溃槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给口，气泡抑制装置是配置在碱性水溶液供给口和运送辊对之间的气泡引导板。3.根据权利要求I或2所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，其特征在于，具有：用于向浸溃槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给泵、用于将从浸溃槽溢流的碱性水溶液向碱性水溶液贮藏容器运送的回收管、和贮藏从浸溃槽溢流的碱性水溶液的碱性水溶液贮藏容器，气泡抑制装置是配备在碱性水溶液贮藏容器内部的气泡引导板。4.根据权利要求I或2所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，其特征在于，具有：用于向浸溃槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给泵、用于将从浸溃槽溢流的碱性水溶液向碱性水溶液贮藏容器运送的回收管、和贮藏从浸溃槽溢流的碱性水溶液的碱性水溶液贮藏容器，气泡抑制装置是设置在比碱性水溶液贮藏容器中的碱性水溶液的液面靠下方的回收管排出口。5.如权利要求I...

【专利技术属性】
技术研发人员：丰田裕二，后闲宽彦，川合宣行，入泽宗利，梶谷邦人，中川邦弘，
申请(专利权)人：三菱制纸株式会社，
类型：实用新型
国别省市：