包括常闭和常开器件的共源共栅开关以及包括这样的开关的电路制造技术

描述了包括共源共栅布置的常闭半导体器件和常开半导体器件的开关。开关包括连接在常开器件的栅极与常闭器件的源极之间的电容器。开关还可以包括与电容器并行地连接在常开器件的栅极与常闭器件的源极之间的齐纳二极管。开关还可以包括反向串行布置在常闭器件的栅极与源极之间的一对齐纳二极管。还描述了包括多个常开和/或多个常闭器件的开关。常开器件能够是诸如SiC?JFET的JFET。常闭器件能够是诸如Si?MOSFET的MOSFET。常开器件能够是高电压器件并且常闭器件能够是低电压器件。还描述了包括开关的电路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：N·斯普林格特，
申请(专利权)人：PI公司，
类型：
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