具有侧面电极的LED芯片及其封装结构制造技术

技术编号:9508390 阅读:65 留言:0更新日期:2013-12-26 22:57
本实用新型专利技术提供了一种具有侧面电极的LED芯片及其封装结构,该芯片具有侧面电极的LED芯片,包括衬底、设于该衬底上的N型层、发光层、P型层及与该N型层导电连接的N电极、与该P型层导电连接的P电极,该N电极的一端沿该N型层的侧面延伸至该衬底的一侧面;该P型层、该发光层及该N型层的侧面设有绝缘层,该P电极的一端沿该绝缘层的侧面延伸至该衬底的另一侧面。本实用新型专利技术所述的LED芯片,其上、下两个表面均可射出光线,大大提高了LED芯片的发光效率。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有侧面电极的LED芯片,包括衬底、设于该衬底上的N型层、发光层、P型层及与该N型层导电连接的N电极、与该P型层导电连接的P电极,其特征在于:该N电极的一端沿该N型层的侧面延伸至该衬底的一侧面;该P型层、该发光层及该N型层的侧面设有绝缘层,该P电极的一端沿该绝缘层的侧面延伸至该衬底的另一侧面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王冬雷庄灿阳
申请(专利权)人:大连德豪光电科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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