一种发光二极管制造技术

本实用新型专利技术提供了一种发光二极管，使p型辅助电极部分或者全部置于透明导电层之内，可有效的避免外界化学物质腐蚀底部接触层金属，也降低了p型辅助电极于透明导电层之上的高度，使得难以受到外力作用而发生损伤、脱落、断裂等情况。尤其当p型辅助电极的高度小于透明导电层内凹槽高度，或者小于凹槽高度与绝缘保护层厚度之和时，p型辅助电极将全部被绝缘保护层所包覆，大大增加了器件的可靠性。如此，也可以减小金属辅助电极的线宽，从而减小遮挡出光的面积，一定程度上增加了LED芯片亮度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种发光二极管，包括：衬底；依次位于所述衬底上的n型半导体层、有源层、p型半导体层和透明导电层；p型电极以及与所述p型电极电连接的p型辅助电极；其特征在于，所述p型辅助电极全部或者部分嵌入所述透明导电层中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚禹，缪炳有，陈起伟，邓觉为，
申请(专利权)人：西安神光皓瑞光电科技有限公司，西安神光安瑞光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：