有源矩阵基板、显示装置和有源矩阵基板的制造方法制造方法及图纸

有源矩阵基板(1)具有源极电极(32)、漏极电极(33)和含有氧化物半导体的半导体层(31)，在栅极电极(12a)之上形成有含有氧化硅的栅极绝缘层(42)，在栅极绝缘层(42)之上形成有源极电极(32)、漏极电极(33)和半导体层(31)，在栅极绝缘层(42)之上以不覆盖半导体层(31)的方式形成有含有氮化硅的第一保护层(44)，在半导体层(31)之上形成有含有氧化硅的第二保护层(46)。第一保护层(44)覆盖信号线(14)和源极连接线(36)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】有源矩阵基板(1)具有源极电极(32)、漏极电极(33)和含有氧化物半导体的半导体层(31)，在栅极电极(12a)之上形成有含有氧化硅的栅极绝缘层(42)，在栅极绝缘层(42)之上形成有源极电极(32)、漏极电极(33)和半导体层(31)，在栅极绝缘层(42)之上以不覆盖半导体层(31)的方式形成有含有氮化硅的第一保护层(44)，在半导体层(31)之上形成有含有氧化硅的第二保护层(46)。第一保护层(44)覆盖信号线(14)和源极连接线(36)。【专利说明】
本专利技术涉及具有薄膜晶体管的有源矩阵基板和具备该有源矩阵基板的显示装置。
技术介绍
有源矩阵型的液晶显示装置、有机EL(Electro Luminescence)显示装置，一般具 有:在每个像素中形成有薄膜晶体管(Thin Film Transistor ;以下也称为“TFT”)作为开 关元件的有源矩阵基板(也称为“TFT基板”)；形成有对置电极和彩色滤光片等的对置基 板；和设置于TFT基板与对置基板之间的液晶层等的光调制层。近年来，提出了使用IGZO(InGaZnOx)等的氧化物半导体膜替代非晶硅等的硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：美崎克纪，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：