【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种LED外延片，包括衬底，衬底之上依次形成的缓冲层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，所述缓冲层包括：形成在衬底之上的InN层，所述InN层分布有暴露出衬底的空洞；形成在所述InN层之上的第一本征GaN层；形成在所述第一本征GaN层之上的SiNx层，所述SiNx层分布有暴露出第一本征GaN层的空洞；以及形成在所述SiNx层之上的第二本征GaN层。该LED外延片及其制备方法，可减少外延片的缺陷，提高晶体质量。【专利说明】—种LED外延片及制备方法
本专利技术属于半导体领域，尤其涉及一种LED外延片及制备方法。
技术介绍
近年来，由于发光二极管等光电子器件上的广泛应用，第三代半导体材料中的宽 禁带半导体GaN材料广受人们的关注，生长高质量的GaN基外延片成为人们研究的重点。目前，应用最为广泛的是采用蓝宝石为衬底材料生长GaN基外延片，GaN材料在蓝 宝石衬底上从500°C到1100°C都可以生长。然而由于蓝宝石和GaN两者间晶格失配和化学 性质的差异较大，直接在蓝宝石衬底上生长外延层缺陷较多，严重影响晶体质量。为了得到 表面光滑、...
【技术保护点】
一种LED外延片，包括衬底，衬底之上依次形成的缓冲层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，其特征在于，所述缓冲层包括：形成在衬底之上的InN层，所述InN层分布有暴露出衬底的空洞；形成在所述InN层之上的第一本征GaN层；形成在所述第一本征GaN层之上的SiNx层，所述SiNx层分布有暴露出第一本征GaN层的空洞；以及形成在所述SiNx层之上的第二本征GaN层。
【技术特征摘要】
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