温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种LED外延片，包括衬底，衬底之上依次形成的缓冲层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，所述缓冲层包括：形成在衬底之上的InN层，所述InN层分布有暴露出衬底的空洞；形成在所述InN层之上的第一本征GaN层；形成在所述第一本征G...
该专利属于比亚迪股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过比亚迪股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。