【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种白光LED的芯片及生产方法，涉及半导体光电
。包括P型氮化物出光面，位于透明导电层和P型氮化物出光面之间的金属扩展层。具体方法包括：提供完整的具有P型氮化物层、有源层、N型氮化物层的外延基片，刻蚀裸露N型层，并在必要区域，沉积包括电流阻挡层和金属扩展层，再生长透明导电层；并旋涂荧光层在P型出光面，最后利用剥离工艺制作打线焊盘。此芯片结构和制备方法利于提高荧光粉涂覆均匀性，有效降低白光芯片成本。【专利说明】一种白光LED芯片及其生产方法
本专利技术涉及半导体光电
，更具体的是一种白光LED的芯片生产
。
技术介绍
白光LED作为固态照明的光源，因其低压驱动，低功耗，高可靠性已广泛应用于室内外的照明、景观照明及汽车车灯，LED发白光是基于红蓝绿三基色的按比例混合来实现。而现有技术主流是利用发蓝光的氮化物系列LED芯片激发表面的黄色荧光粉，通过蓝光和黄光混合形成白光。在封装的工艺制程中，需要将单颗蓝光芯片固定到支架中，再对单颗芯片进行荧光粉胶体点胶。单颗的重复工艺，很难保证点胶的一致性，且生产效率较低，不利于LED光...
【技术保护点】
一种白光LED芯片，包括具有N型氮化物层、有源层和P型氮化物层的外延片基片，其特征在于：在所述P型氮化物层上覆盖透明导电层，在透明导电层和P型氮化物层之间分布电流阻挡层，在电流阻挡层和透明导电层之间沉积金属扩展层；在透明导电层外覆盖绝缘钝化层，在绝缘钝化层外覆盖荧光粉层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：金豫浙，张溢，冯亚萍，李佳佳，李志聪，孙一军，王国宏，
申请(专利权)人：扬州中科半导体照明有限公司，
类型：发明
国别省市：
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