芯片延时供电电路制造技术

本实用新型专利技术为一种芯片延时供电电路，包括芯片(U1)和电瓶,其特征在于：其中电瓶正端串联继电器（J1）常闭开关后接第一二极管（D1）正极，第一二极管（D1）负极接可控硅(Q1)阳极，该可控硅(Q1)阳极还连接有储能单元，所述可控硅（Q1）控制极接信号源，可控硅(Q1)阴极接三端稳压器输入端，三端稳压器接地端接地，三端稳压器输出端接所述芯片（U1）电源输入端；所述芯片(U1)电源控制端接第一三极管（T1）基集，第一三极管（T1）发射极接地，集电极串所述继电器（J1）线圈后接所述电瓶正端。本实用新型专利技术结构简单、运行可靠，能在电源断开后继续为芯片供电一定时间，应用领域十分广泛。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种芯片延时供电电路，包括芯片(U1)和电瓶,其特征在于：其中电瓶正端串联继电器（J1）常闭开关后接第一二极管（D1）正极，第一二极管（D1）负极接可控硅(Q1)阳极，该可控硅(Q1)阳极还连接有储能单元，所述可控硅（Q1）控制极接信号源，可控硅(Q1)阴极接三端稳压器输入端，三端稳压器接地端接地，三端稳压器输出端接所述芯片（U1）电源输入端；所述芯片(U1)电源控制端接第一三极管（T1）基集，第一三极管（T1）发射极接地，集电极串所述继电器（J1）线圈后接所述电瓶正端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈万兴，
申请(专利权)人：陈万兴，
类型：实用新型
国别省市：