用于测试半导体器件的接触件的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种用于测试座的接触件，在接触件中形成有以确定的间隔排列在介电板上的导体部，用于通过与半导体器件的引线端子接触来测试半导体器件是否正常，更具体地，涉及一种用于测试半导体器件的接触件的制造方法，其中连续交替地粘结并重复堆叠介电板和导体部，切割堆叠体的一个侧面，然后再次将堆叠体与介电层重复交替地粘结并堆叠，之后切割堆叠体的前表面从而生产出新型接触件的制成品。因而，能够根据层所形成的厚度以及在制造工艺中的切割宽度来确定相邻的导体部之间的间距，所以能够获得所需的导体部间距。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及一种用于测试座的接触件，在接触件中形成有以确定的间隔排列在介电板上的导体部，用于通过与半导体器件的引线端子接触来测试半导体器件是否正常，更具体地，涉及一种，其中连续交替地粘结并重复堆叠介电板和导体部，切割堆叠体的一个侧面，然后再次将堆叠体与介电层重复交替地粘结并堆叠，之后切割堆叠体的前表面从而生产出新型接触件的制成品。因而，能够根据层所形成的厚度以及在制造工艺中的切割宽度来确定相邻的导体部之间的间距，所以能够获得所需的导体部间距。【专利说明】
本专利技术涉及一种用于测试座(test socket)的接触件(contact),在所述接触件中形成有以确定的间隔排列在介电板上的导体部，用于通过与半导体器件的引线端子接触来测试半导体器件是否正常，更具体地，涉及一种，其中连续交替地粘结并重复堆叠介电板和导体部，切割堆叠体的一个侧面，然后再次将堆叠体与介电层重复交替地粘结并堆叠，之后切割堆叠体的前表面从而生产新型接触件。因而，能够根据层所形成的厚度以及在制造工艺中的切割宽度来确定相邻的导体部之间的间距，所以能够获得所需的导体部间距。
技术介绍
通常，在制造出半导体器件之后，通过电测试来测试该半导体器件的操作是否正常。这里，接触件(contact)被用作半导体测试设备的测试座(test socket)。通常，接触件呈板的形式，在所述板中，多个圆形导体部以规则的间隔排列在介电板上。通过使用接触件以如下方式对半导体器件进行测试，所述方式为使半导体器件的引线端子(lead terminal)与接触件上的导体部接触,并且座板(socket board)被设置在接触件的下部上，以便大体上将电力提供给导体部，然后对半导体器件的输入信号和输出信号进行分析。这里，在接触件上形成的导体部的间距(pitch)非常重要，因为随着制造技术的发展，半导体器件被做得更小，造成引线端子之间的间隔仅为几微米，所以如果间距很大，则在接触件上存在很多限制，如位置、数量、排列等。制造此类接触件的最常用的方法是将导体材料填充进已穿孔的介电板。然而，在该方法中，穿孔的尺寸以及穿孔之间的间距在物理上不能窄于250 μ m，需要成千上万个穿孔，所以形成穿孔所用的时间被延长，并且在穿孔工艺期间或者由于成千上万个穿孔本身，介电板在结构上变得很脆弱，因而易于遭受破损、裂缝、变形等。因此，使用这种制造方法制造的接触件或者用于制造接触件的模具(die)受限于用于形成导体部的穿孔的尺寸或穿孔的间距的正确形成，而且很难制造所述接触件或所述模具。并且，需要高科技微细铣床以便提高精度，所以增加了制造成本。而且，一旦加工精度为250 μ m或更小，由于在微细加工期间的机械错误，即使这种微细铣床也具有高错误率。同时，制造接触件的另一方法已经在韩国专利第10-0448414号中提出，在该专利中，将导电金属粉末提供于液化电介质中，从上部和下部将磁力施加至电介质，以便可以磁力聚集金属粉末并使金属粉末形成为导电柱，然后进行固化处理(curing process)。这种方法也存在问题，由于根据上述加工方法，上模具、下模具、磁铁、用于施加磁力的销(pin)等等本质上都需要穿孔，所以在缩小间距方面存在局限。而且，当通过磁力形成导电柱时，由于液体的粘性，金属粉末不易移动，所以很难提供垂直对齐，并且存在相邻的导电柱互连从而造成电连接错误的风险。与现有技术的工艺相比，这种方法使简单的制造成为可能，但是在制造中降低了可靠性。
技术实现思路
技术问题因此，本专利技术充分考虑了本领域中出现的上述问题，并且意在提供一种无需穿孔工艺而制造接触件的新式方法，其中通过重复交替连续的叠置和切割，相邻的导体部之间的间距被极大地缩小，并且通过导体部之间明确的分离获得了对半导体器件的测试的精确性和可靠性。技术方案根据本专利技术的一个方面，提供了一种。所述方法包括第一堆叠阶段、第一切割阶段、第二堆叠阶段以及第二切割阶段，在所述第一堆叠阶段中，连续交替地将介电层和导体层粘结并堆叠在彼此之上至确定的高度，从而形成第一堆叠体；在第一切割阶段中，以固定的厚度垂直切割第一堆叠体的侧面至贯穿第一堆叠体的整个高度，从而形成包含分别沿纵向方向延伸的多组介电层和导体层的第一切割体，其中所述多组介电层和导体层连续地排列在彼此上方；在第二堆叠阶段中，连续交替地将平放的第一切割体与另一介电层平行地粘结并堆叠在彼此之上至确定的高度，从而形成第二堆叠体；在第二切割阶段中，以固定的厚度垂直切割第二堆叠体的侧面至贯穿第二堆叠体的整个高度，从而形成包含多组介电层和设置在介电层的一侧上的第二层的第二切割体，其中所述介电层沿其纵向方向延伸，并且第二层包含多对介电部和导体部，所述多对介电部和导体部沿第二层的纵向方向连续设置，其中所述多组介电层和第二层重复地堆叠在彼此之上。根据上述方法，所述接触件形成为第一切割体，所述第一切割体包括多组介电层和设置在介电层的一侧上的导体层，其中所述介电层沿其纵向方向延伸，并且导体层沿其纵向方向延伸，其中所述多组介电层和导体层沿一个方向重复地堆叠在彼此之上。根据上述方法，所述接触件形成为第一切割体，所述第一切割体包含多组介电层和设置在介电层的一侧上的第二层，其中所述介电层沿其纵向方向延伸，并且第二层包含多对介电部和导体部，所述多对介电部和导体部连续地设置在第二层的纵向方向上，其中所述多组介电层和第二层沿一个方向重复地堆叠在彼此之上。有益效果根据本专利技术，由于能够根据介电层2和导体层I所形成的厚度以及在制造工艺中的切割宽度来确定相邻的导体部之间的间距，所以与需要穿孔工艺的现有技术相比能够获得非常窄的间距。而且，不用使用高科技方法便可容易的形成或切割所述层，获得了具有低成本的简单且精确的制造工艺，同时仅使用该制造方法本身就提高了精确性。而且，由于介电层或介电部以及导体层或导体部的尺寸、间隔等能够自由地调整所述层所形成的厚度以及所述层的切割宽度，所以能够在间距变窄的同时以多种方式形成这些层。导体部或导体层之间的这种窄间距可以很容易地适用于引线宽度非常窄的微型半导体器件的测试，并且这种窄间距使得在半导体器件的位置、间隔、数量、移位等方面自由且容易地在接触件上排列半导体器件成为可能。而且，分别堆叠介电层和导体层，所以两层并不互连，从而提供可靠的导电性以及半导体器件的精确测试。【专利附图】【附图说明】图1是示出根据现有技术的工艺的示图。图2是示出根据本专利技术的工艺的示图。图3是示出根据本专利技术的工艺的另一示图。图4是示出根据本专利技术的制造方法的示图。图5是示出本专利技术的示例性实施方式的示图。最佳实施方式根据本专利技术的一个方面，提供了一种。所述方法包括第一堆叠阶段、第一切割阶段、第二堆叠阶段以及第二切割阶段，在所述第一堆叠阶段中，连续交替地将介电层和导体层粘结并堆叠在彼此之上至确定的高度，从而形成第一堆叠体；在第一切割阶段中，以固定的厚度垂直切割第一堆叠体的侧面至贯穿第一堆叠体的整个高度，从而形成包含分别沿纵向方向延伸的多组介电层和导体层的第一切割体，其中所述多组介电层和导体层连续地排列在彼此上方；在第二堆叠阶段中，连续交替地将平放的第一切割体与另一介电层平行地粘结并堆叠在彼此之上至确定的高度，从而形成第二堆叠体；在第二切割阶段本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹璟燮，
申请(专利权)人：硅谷有限公司，
类型：
国别省市：