本发明专利技术主要涉及一种高温高湿条件下促进植物插穗快速生根的育苗方法，包括以下操作步骤：一、育苗设施建设，二、设施内环境控制，三、育苗池布置，四、母株培养与插穗采集，五、插穗前处理，六、扦插与苗床管理，七、生根苗移栽。本发明专利技术利用高温高湿极端条件，结合缓释生根剂刺激，提高了插穗生根率与生根质量，根数量多且粗壮，显著缩短了成苗时间，可以有效的提高生产效率。本发明专利技术扦插苗移入大田没有明显的缓苗期，移栽成活率达到95-100%，生长速度显著加快，能够提高苗体质量。本发明专利技术扦插苗经过了极端条件筛选，能够从中选育出抗逆性和生长量更优的新品系，而且扦插苗整齐度高，便于工厂化的周年批量生产。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术主要涉及，包括以下操作步骤：一、育苗设施建设，二、设施内环境控制，三、育苗池布置，四、母株培养与插穗采集，五、插穗前处理，六、扦插与苗床管理，七、生根苗移栽。本专利技术利用高温高湿极端条件，结合缓释生根剂刺激，提高了插穗生根率与生根质量，根数量多且粗壮，显著缩短了成苗时间，可以有效的提高生产效率。本专利技术扦插苗移入大田没有明显的缓苗期，移栽成活率达到95-100%，生长速度显著加快，能够提高苗体质量。本专利技术扦插苗经过了极端条件筛选，能够从中选育出抗逆性和生长量更优的新品系，而且扦插苗整齐度高，便于工厂化的周年批量生产。【专利说明】
本专利技术属于植物扦插育苗
，具体涉及。
技术介绍
扦插育苗是林木、花卉植物常用的育苗方法，常规的扦插育苗方法成苗周期长，受环境变化影响大，生根率不高，移栽成活率低，苗木整齐度差，移栽后苗木生长慢，不便于标准生产。研究表明植物生长发育受到体内多种激素平衡的调控，外源植物生长调节剂进入植物体内后，能够改变体内激素平衡，并通过调节一系列生理生化过程，影响到植物的生根、长芽等形态建成过程。因此，在一定的极端环境条件下，植物具有快速修复损伤、重建完整植株个体的潜能，结合生长调节剂刺激，能够诱导植物插穗生根、长芽等形态重建过程。2001年史玉群出版了《全光照喷雾嫩枝扦插育苗技术》一书，全面介绍了扦插育苗方法，对指导植物扦插育苗起到了重要的推动作用，其问题是开放环境条件下，插穗生根困难、苗木整齐度差、移栽后生长慢。袁强的专利技术专利《一种育苗池及育苗方法》，在塑料大棚设施条件下进行，提高了嫩枝扦插生根与移栽成活的效率，仍然存在苗木整齐度差等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，该方法解决了成苗周期长，生根率不高，移栽成活率低，苗木整齐度差，移栽后苗木生长慢，不便于标准化生产的问题。本专利技术实现上述目的采用的技术方案是:，包括以下操作步骤: 步骤一、育苗设施建设 按照南北走向建设育苗日光温室大棚，棚高2.5-3m，地面做硬化处理，棚两侧设置通风换气装置； 步骤二、设施内环境控制 温室大棚内安装温度、湿度探头，并与控制室计算机连接，根据设定参数自动控制温度、相对湿度，以及喷雾装置的启动； 步骤三、育苗池布置 温室大棚内按照东西走向设置育苗池，育苗池宽度为0.8-1.2!11，池深20-30 ，育苗池的材质为铝塑板，育苗池两端落差3-5cm，低端的底部预留排水孔，育苗池底部铺设一层直径为3-5cm的鹅卵石，鹅卵石上铺设有与育苗池内部宽度相等的泡沫板，泡沫板厚度l-2cm,泡沫板上每隔5cm设置一个直径为0.3-0.5cm的渗水孔，向泡沫板上喷水至排水孔有水流出；取直径为0.2-0.3cm的珍珠岩，置于200-500 mg/kg的ClO2溶液中浸泡l_3d，将浸泡过的珍珠岩铺设在育苗池内的泡沫板上作为培养基质，铺设厚度为15-20cm，育苗池布置完成，备用； 步骤四、母株培养与插穗采集 在日出前或者阴天采集半木质化程度的幼嫩枝条为插穗，保湿，备用； 步骤五、插穗前处理 先用自来水冲洗步骤四得到的插穗，再用质量浓度为50%的多菌灵与质量浓度50%的甲基托布津的混合液，加水配制成500倍稀释液，对插穗浸泡消毒lOmin，其中多菌灵与甲基托布津的质量比为I ;1 ;然后将插穗修剪至长度为4-6cm，保留1-3片叶；接着用移栽生根剂的5-10倍稀释液处理插穗基部l-2cm处10-30min，然后在30_40°C条件下保湿5_6h，备用; 步骤六、扦插与苗床管理 将步骤五得到的插穗插到步骤三育苗池内的培养基质上，插入深度为2-4cm，插穗之间的株行距不小于3cm，大棚内每天6-18点的温度和湿度分别设置如下:植物生根诱导期大棚内的最高温度为36-40°C、最低温度为30-34°C、相对湿度为93_97%，喷雾时间间隔以叶片50%以上面积有水为度；植物生根表达期，大棚内的最高温度为38-42°C、最低温度为30-35°C、相对湿度93-97%，喷雾时间间隔以叶片50%面积有水为度；植物根系伸长期，大棚内的最高温度为34-36°C、最低温度为30-32°C、相对湿度为90_95%，喷雾时间间隔以叶片30%面积有水为度，根长达到Icm以上后喷雾时间间隔以叶片不超过20%面积有水为度；整个生根期间，夜间不喷雾，夜间温度不低于30°C，湿度不小于90% ； 整个生根期间，每隔6天用质量 浓度为50%的多菌灵或50%的甲基托布津的800倍稀释液喷苗一次； 步骤七、生根苗移栽 当插穗根系长度达到2-3cm后移入营养钵，营养钵内的栽培基质为质量比为3:1的腐植土与珍珠岩的混合物，在室内温度为30-35°C条件下，炼苗7-10d，然后移入大田常规水肥管理。本专利技术中采用的移栽生根剂为ZL200910064521.2公开的缓释牡丹移栽生根齐U，由以下组成构成:萘乙酸(NAA) 50-400mg/L、吲哚丁酸(IBA) 200_800mg/L、二甲亚砜0.5-4%、硫酸锌 0.01-0.05%、聚乙烯醇(PVA) 2_10%。本专利技术的有益效果 其一、本专利技术利用高温高湿极端条件，结合缓释生根剂刺激，提高了插穗生根率与生根质量，根数量多且粗壮，显著缩短了成苗时间。多数品种20-30d成苗，少数品种10-15d成苗，与普通育苗方法的100-120d成苗周期相比，可以有效的提高生产效率。其二、本专利技术扦插苗移入大田没有明显的缓苗期，移栽成活率达到95-100%，生长速度显著加快，能够提高苗体质量。其三、本专利技术扦插苗经过了极端条件筛选，能够从中选育出抗逆性和生长量更优的新品系，而且扦插苗整齐度高，便于工厂化的周年批量生产。【具体实施方式】，包括以下操作步骤: 步骤一、育苗设施建设按照南北走向建设育苗日光温室大棚，棚高2.5-3m，地面做硬化处理，棚两侧设置通风换气装置； 步骤二、设施内环境控制 温室大棚内安装温度、湿度探头，并与控制室计算机连接，根据设定参数自动控制温度、相对湿度，以及喷雾装置的启动； 步骤三、育苗池布置 温室大棚内按照东西走向设置育苗池，育苗池宽度为0.8-1.2m，池深20-30cm，育苗池的材质为铝塑板，育苗池两端落差3-5cm，低端的底部预留排水孔，育苗池底部铺设一层直径为3-5cm的鹅卵石，鹅卵石上铺设有与育苗池内部宽度相等的泡沫板，泡沫板厚度l-2cm,泡沫板上每隔5cm设置一个直径为0.3-0.5cm的渗水孔，向泡沫板上喷水至排水孔有水流出；取直径为0.2-0.3cm的珍珠岩，置于200-500 mg/kg的ClO2溶液中浸泡l_3d，将浸泡过的珍珠岩铺设在育苗池内的泡沫板上作为培养基质，铺设厚度为15-20cm，育苗池布置完成，备用； 步骤四、母株培养与插穗采集 在日出前或者阴天采集半木质化程度的幼嫩枝条为插穗，保湿，备用； 步骤五、插穗前处理 先用自来水冲洗步骤四得到的插穗，再用质量浓度为50%的多菌灵与质量浓度50%的甲基托布津的混合液，加水配制成500倍稀释液，对插穗浸泡消毒lOmin，其中多菌灵与甲基托布津的质量比为I ;1 ;然后将插穗修剪至长度为4-6cm，保留1-3片叶；接着用移栽生根剂的5-10倍稀释液处本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高温高湿条件下促进植物插穗快速生根的育苗方法，其特征在于：包括以下操作步骤：步骤一、育苗设施建设按照南北走向建设育苗日光温室大棚，棚高2.5?3m，地面做硬化处理，棚两侧设置通风换气装置；步骤二、设施内环境控制温室大棚内安装温度、湿度探头，并与控制室计算机连接，根据设定参数自动控制温度、相对湿度，以及喷雾装置的启动；步骤三、育苗池布置温室大棚内按照东西走向设置育苗池，育苗池宽度为0.8?1.2m，池深20?30cm，育苗池的材质为铝塑板，育苗池两端落差3?5cm，低端的底部预留排水孔，育苗池底部铺设一层直径为3?5cm的鹅卵石，鹅卵石上铺设有与育苗池内部宽度相等的泡沫板，泡沫板厚度1?2cm，泡沫板上每隔5cm设置一个直径为0.3?0.5cm的渗水孔，向泡沫板上喷水至排水孔有水流出；取直径为0.2?0.3cm的珍珠岩，置于200?500?mg/kg的?ClO2溶液中浸泡1?3d，将浸泡过的珍珠岩铺设在育苗池内的泡沫板上作为培养基质，铺设厚度为15?20cm，育苗池布置完成，备用；步骤四、母株培养与插穗采集在日出前或者阴天采集半木质化程度的幼嫩枝条为插穗，保湿，备用；步骤五、插穗前处理先用自来水冲洗步骤四得到的插穗，再用质量浓度为50%的多菌灵与质量浓度50%的甲基托布津的混合液，加水配制成500倍稀释液，对插穗浸泡消毒10min，其中多菌灵与甲基托布津的质量比为1；1；然后将插穗修剪至长度为4?6cm，保留1?3片叶；接着用移栽生根剂的5?10倍稀释液处理插穗基部1?2cm处10?30min，然后在30?40℃条件下保湿5?6h，备用；步骤六、扦插与苗床管理将步骤五得到的插穗插到步骤三育苗池内的培养基质上，插入深度为2?4cm，插穗之间的株行距不小于3cm，大棚内每天6?18点的温度和湿度分别设置如下：植物生根诱导期大棚内的最高温度为36?40℃、最低温度为30?34℃、相对湿度为93?97%，喷雾时间间隔以叶片50%以上面积有水为度；植物生根表达期，大棚内的最高温度为38?42℃、最低温度为30?35℃、相对湿度93?97%，喷雾时间间隔以叶片50%面积有水为度；植物根系伸长期，大棚内的最高温度为34?36℃、最低温度为30?32℃、相对湿度为90?95%，喷雾时间间隔以叶片30%面积有水为度，根长达到1cm以上后喷雾时间间隔以叶片不超过20%面积有水为度；整个生根期间，夜间不喷雾，夜间温度不低于30℃，湿度不小于90%；整个生根期间，每隔6天用质量浓度为50%的多菌灵或50%的甲基托布津的800倍稀释液喷苗一次；步骤七、生根苗移栽当插穗根系长度达到2?3cm后移入营养钵，营养钵内的栽培基质为质量比为3：1的腐植土与珍珠岩的混合物，在室内温度为30?35℃条件下，炼苗7?10d，然后移入大田常规水肥管理。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：史国安，施江，郭香凤，高双成，刘春洋，
申请(专利权)人：河南科技大学，
类型：发明
国别省市：
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