本发明专利技术的实施例涉及用于功率驱动器电路应用的电压斜率控制方法和装置。公开了一种驱动电路，包括第一晶体管，其在耦合至负载的第一中间节点处与第二晶体管串联耦合。放大器具有驱动第二晶体管的控制端子的输出。放大器包括耦合至第二中间节点的第一输入以及耦合至参考电压的第二输入。反馈电路耦合在第一中间节点与第二中间节点之间。斜率控制电路耦合至第二中间节点。斜率控制电路将选定的电流值注入第二中间节点，该电流操作以通过设置第一中间节点处的电压改变的斜率来控制放大器的输出。
【技术实现步骤摘要】
用于功率驱动器电路应用的电压斜率控制方法和装置
本专利技术总体上涉及功率驱动器电路及其操作，并且具体地，涉及用于控制功率驱动器的输出电压斜率的方法和装置。
技术介绍
参考图1，其示出了功率驱动器电路100的电路图。电路100包括高侧驱动器102和低侧驱动器104。高侧驱动器102的输出耦合至负载108的高侧节点106。低侧驱动器104的输出耦合至负载108的低侧节点110。在图1的示例性实现中，负载108是AMOLED类型的显示面板，并且高侧节点106和低侧节点110是用于该显示面板的供电节点(Va和Vb)。然而将会理解，负载108可以包括从高侧和低侧二者驱动的任何适当负载。高侧驱动器102包括一对串联连接的晶体管120和122。晶体管120和122是通过其源-漏路径串联耦合的n沟道MOSFET类型。将会理解，可以代之以使用其他类型的晶体管，对n沟道MOSFET器件的参考仅仅是示例性的优选实现。可以代之以使用p沟道MOSFET、n沟道和p沟道MOSFET的组合、双极器件和/或IGFET类型器件。晶体管120包括耦合至第一供电节点124的传导(漏)端子以及耦合至高侧节点106的传导(源)端子。晶体管120的控制(栅)端子耦合至第一控制节点126。晶体管122包括耦合至高侧节点106的传导(漏)端子以及耦合至第二供电节点128的传导(源)端子。晶体管122的控制(栅)端子耦合至第二控制节点130。低侧驱动器104包括一对串联连接的晶体管140和142。晶体管140和142是通过其源-漏路径串联耦合的n沟道MOSFET类型。将会理解，可以代之以使用其他类型的晶体管，对n沟道MOSFET器件的参考仅是示例性的优选实现。可以代之以使用p沟道MOSFET、n沟道和p沟道MOSFET的组合、双极器件和/或IGFET类型器件。晶体管140包括耦合至第三供电节点144的传导(漏)端子以及耦合至低侧节点110的传导(源)端子。晶体管140的控制(栅)端子耦合至第三控制节点146。晶体管142包括耦合至低侧节点110的传导(漏)端子以及耦合至第四供电节点148的传导(源)端子。晶体管142的控制(栅)端子耦合至第四控制节点150。第一供电节点和第三供电节点124和144优选地被耦合以接收高供电电压(例如，Vdd1和Vdd2)。这些例如可以是不同的高供电电压或相同的高供电电压，这取决于电路应用。第二供电节点和第四供电节点128和148优选地被耦合以接收低供电电压。这些例如可以是不同的低供电电压或相同的低供电电压(例如，地)，这取决于电路应用。现在参考图2，其示出高侧节点106(电压信号Va)和低侧节点110处的电压信号(电压信号Vb)的电压波形。这些波形针对图1的示例性实现，其中负载108是AMOLED类型的显示面板。然而将会理解，具有相似形状和定时的高和低侧波形可以用于其他类型的负载。在与重置显示面板108(AMOLED类型的)相关联的时间段中，通过分别向晶体管120、122、140和142的第一、第二、第三和第四控制节点126、130、146和150应用适当的控制信令来控制高侧驱动器102和低侧驱动器104，以下拉由参考标号160指示的高侧节点106的电压(电压信号Va)。当高侧节点106处的电压(电压信号Va)返回高时，重置时间段结束。在与初始下拉高侧节点106处的电压相关联的第一时间段t1期间，控制向下的电压斜率是重要的。特别地，需要以这样的方式来控制斜率：确保在功率驱动操作期间不引入电压/电流尖峰。在与显示面板负载108(AMOLED类型)中的发光相关联的时间段期间，通过分别向晶体管120、122、140和142的第一、第二、第三和第四控制节点126、130、146和150应用适当的控制信令来控制高侧驱动器102和低侧驱动器104，以下拉由参考标号162指示的低侧节点110处的电压(电压信号Vb)。当低侧节点110处的电压(电压信号Vb)返回高时，发光时间段结束。在与初始下拉低侧节点110处的电压相关联的第二时间段t2期间，控制向下的电压斜率是重要的。特别地，需要以这样的方式来控制斜率：确保在功率驱动操作期间不引入电压/电流尖峰。
技术实现思路
在一个实施例中，一种电路，包括：驱动电路，包括第一晶体管，其在被配置用于耦合至负载的第一中间节点处与第二晶体管串联耦合；耦合在第一中间节点与第二中间节点之间的电容；放大器，具有耦合至第二中间节点的第一输入、耦合至参考电压的第二输入以及耦合至第二晶体管的控制端子的输出；以及电流源，配置用于向所述第二中间节点提供具有可选值的电流。在一个实施例中，一种电路，包括：驱动电路，包括第一晶体管，其在被配置用于耦合至负载的第一中间节点处与第二晶体管串联耦合；放大器，具有耦合至第二中间节点的第一输入、耦合至参考电压的第二输入以及耦合至第二晶体管的控制端子的输出；耦合在第一中间节点与第二中间节点之间的反馈电路；以及斜率控制电路，与第二中间节点耦合，并且配置用于通过设置针对第一中间节点处的电压的改变的斜率来控制放大器的输出。结合附图，根据对实施例的下列详细说明，本公开的上述和其他特征和优点将变得更加明显。详细的说明和图仅用于说明本公开，而不是限制如所附权利要求及其等效定义的本专利技术的范围。附图说明在未必按比例绘制的附图中通过示例的方式示出了实施例，其中相同标号表示相似的部分，其中：图1是功率驱动器电路的电路框图；图2所示为在图1中电路的高侧节点和低侧节点处的电压信号的电压波形；图3是控制电路的一个实施例的框图；图4是图3的控制电路中的驱动器电路的电路框图；图5是图3的控制电路中的箝位电路(clampcircuit)的电路框图；图6A和图6B分别是图3-图4中所示的电路在提升和下拉期间的操作的时序图；图7是图3的控制电路中的OTA电路的电路框图；图8所示为对于可变电流的不同值在斜率控制模式期间的受控电压的不同斜率。具体实施方式现在参见图3，其示出控制电路200的实施例的图。电路200包括高侧驱动器202和低侧驱动器204。高侧驱动器202的输出耦合至负载208的高侧节点(ELVDD)206。低侧驱动器204的输出耦合至负载208的低侧节点(ELVSS)210。在图3的示例性实施例中，负载208是AMOLED类型的显示面板，其包括若干二极管270，每个二极管在高侧节点(ELVDD)206与低侧节点(ELVSS)210之间与控制晶体管272串联耦合。然而将会理解，负载208可以包括从高侧和低侧驱动的任何适当负载。高侧驱动器202包括一对串联连接的晶体管220和222。晶体管220是p沟道MOSFET类型，晶体管222是n沟道MOSFET类型。这些晶体管通过其源-漏路径串联耦合。将会理解，可以代之以使用其他类型的晶体管，对p沟道和n沟道MOSFET器件的参考仅仅是示例性的优选实现。可以备选地使用p沟道MOSFET、n沟道MOSFET、双极器件和/或IGFET类型器件。晶体管220包括耦合至第一供电节点224的传导(源)端子以及耦合至高侧节点206的传导(漏)端子。晶体管220的控制(栅)端子耦合至第一控制节点226(PG1)。晶体管222包括耦合至高侧节点206的传导(漏)端子以及耦合至第二供电节本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电路，包括：驱动电路，包括第一晶体管，所述第一晶体管在被配置为耦合至负载的第一中间节点处与第二晶体管串联耦合；耦合在所述第一中间节点与第二中间节点之间的电容；放大器，具有耦合至所述第二中间节点的第一输入、耦合至参考电压的第二输入以及耦合至所述第二晶体管的控制端子的输出；以及电流源，配置用于向所述第二中间节点提供具有可选值的电流。
【技术特征摘要】
1.一种功率驱动器电路，包括：驱动电路，包括第一晶体管，所述第一晶体管在被配置为耦合至负载的第一中间节点处与第二晶体管串联耦合；耦合在所述第一中间节点与第二中间节点之间的电容元件；放大器，具有耦合至所述第二中间节点的第一输入、耦合至参考电压的第二输入以及耦合至所述第二晶体管的控制端子的输出；以及电流源，配置用于向所述第二中间节点提供具有响应于控制信号的值的电流，所述控制信号与所述第一中间节点处的输出信号无关。2.根据权利要求1所述的电路，还包括箝位电路，配置用于将所述第二中间节点处的电压箝制为基本等于箝位参考电压的值。3.根据权利要求1所述的电路，还包括可变电阻器，其耦合至所述电流源并且被配置为生成所述控制信号，其中由所述电流源提供的所述电流的值响应于所述可变电阻器的阻抗值。4.根据权利要求1所述的电路，还包括耦合至所述第二晶体管的所述控制端子的提升电路，所述提升电路配置用于感测所述第二晶体管的所述控制端子上的电压，并且在所感测的电压升高到第一阈值电压的情况下将所述控制端子的电压提升到高供电电压。5.根据权利要求1所述的电路，还包括耦合至所述第二晶体管的所述控制端子的下拉电路，所述下拉电路配置用于感测所述第二晶体管的所述控制端子上的电压，并且在所感测的电压降低到第二阈值电压的情况下将所述控制端子的电压下拉到低供电电压。6.根据权利要求1所述的电路，还包括耦合至所述第二中间节点的滤波电路。7.根据权利要求6所述的电路，其中滤波电路包括耦合在所述第二中间节点与低供电电压节点之间的串联连接的电阻器和电容器。8.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：王蒙，黄涛涛，
申请(专利权)人：意法半导体研发深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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