【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种多孔硅基三氧化钨纳米棒复合结构气敏传感器元件的制备方法,具有以下步骤:(1)硅片的清洗:将p型单面抛光的单晶硅片放入浓硫酸与过氧化氢的混合液中浸泡35?45min,随后置于氢氟酸与去离子水的混合液中浸泡25?35min,然后分别在丙酮和乙醇中超声清洗5?10min,再用去离子水洗净,最后将多孔硅放入无水乙醇中备用;(2)制备硅基多孔硅:采用双槽电化学腐蚀法在步骤(1)的单晶硅片的抛光表面制备多孔硅层,所用腐蚀液为氢氟酸与二甲基甲酰胺的混合溶液,通过控制施加腐蚀电流密度和腐蚀时间改变多孔硅的孔隙率、平均孔径及厚度,施加的腐蚀电流密度为55?70mA/cm2,腐蚀时间为5?10min,制备条件为室温并且不借助光照;(3)利用水热法在多孔硅上原位生长三氧化钨纳米棒首先配置反应液,分别称取3?5g钨酸钠和1?2g氯化钠,利用磁力搅拌器将上述化合物溶于70?80ml的去离子水中,再利用浓盐酸调节反应液PH值至2.1?2.5,随后将配置好的反应液倒入100ml水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中,然后再将步骤(2)制得的多孔硅插在样品架上水平腾空置于内衬中,最后将水热反应釜置于恒温干燥箱中于180℃恒 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:胡明,武雅乔,韦晓莹,马双云,杜明月,
申请(专利权)人:天津大学,
类型:发明
国别省市:
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