一种圆片形氟化镁MgF2晶体镀膜材料及其生产方法技术

本发明专利技术涉及光学镀膜材料领域，尤其涉及一种圆片形氟化镁MgF2晶体镀膜材料及其生产方法，其特征在于，该材料是一种无色透明的多晶光学晶体，在波长500mm处，其折射率?Ne=1.38，材料密度约为3.17克/cm3；该材料的形状是适应各种规格电子枪坩埚或埚衬的直径和深度设计加工的圆片形或圆锥柱形，其直径尺寸范围为20mm~56mm，厚度尺寸范围为：5mm~30mm。与现有技术相比，本发明专利技术的有益效果是：完全满足电子枪镀MgF2膜坩埚的尺寸要求，装取料极为方便，具有真正不飞溅、不崩点、无放气量和蒸发面平坦等优异蒸发特性，有效提高被镀光学元件表面光洁度，尤其适用于高质量镀膜要求的超光滑光学元件表面镀膜。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种圆片形氟化镁MgF2晶体镀膜材料及其生产方法，其特征在于，该材料是一种无色透明的多晶光学晶体镀膜材料，在波长500mm处，其折射率?Ne=1.38，材料密度约为3.17克/cm3；该材料的形状是适应多种规格电子枪坩埚或埚衬的直径和深度设计加工而成的圆片形或圆锥柱形，其直径尺寸范围为20mm~56mm，厚度尺寸范围为：5mm~30mm；该材料的制作方法包括真空烧结氟化镁棒状晶体和光学机械成形加工两个工序，其中：1）真空烧结氟化镁棒状晶体的工序步骤为：①升温：将氟化镁粉料加入真空烧结装置中抽真空，该真空烧结装置内设有多棒孔石墨坩埚并且坩埚内外均设有石墨加热器，当装置内真空度达2Pa后，对坩埚实施内外同时加热，并以100℃~120℃/h速率升温10~12h，使装置内温度达到1050℃~1200℃；②恒温：装置内保持真空度在0.2~0.06Pa，温度1250℃~1260℃，保持恒温14~16h；③降温：装置内保持真空度在0.06~0.004Pa，以20℃~25℃/h的速率降温30~32h；当装置温达到640℃~600℃时，停止加热，装置体自然冷却至室温；2）光学机械成形加工工序步骤为：从真空烧结装置中取出烧结好的氟化镁棒状晶体，依据所需要的电子枪坩埚或埚衬的直径和深度取相应尺寸的MgF2棒状晶体，按设计的圆片型MgF2晶体镀膜材料的规格进行光学机械成型加工：①首先经内圆切片机把相应直径尺寸的MgF2棒状晶体按设计尺寸切成一定厚度和一定厚度公差要求的圆片型MgF2；②将该厚度的MgF2圆片经光学磨边机光磨达到设计直径尺寸的圆片，其光洁度应达到▽6以上；③?最后将成型的MgF2圆片经超声波清洗机清洗，烤箱烘干和真空包装，即为最终圆片形氟化镁晶体镀膜材料产品。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：齐钰，齐剑峰，
申请(专利权)人：齐钰，
类型：发明
国别省市：