稀土卤化物块的制备方法技术

本发明专利技术涉及稀土卤化物块的制备方法，具体是涉及一种式AeLnfX(3f+e)多晶卤化物块的制备方法，其中Ln代表一种或多种稀土；X代表一种或多种选自Cl、Br或I的卤素原子；A代表一种或多种碱金属，例如K、Li、Na、Rb或Cs；e可以是零，不大于3f，f不小于1，水和卤氧化物含量低，所述的方法包括下述步骤：加热至少一种含有至少一种Ln-X键的化合物与足够量的NH4X的混合物的步骤，以达到所需要的卤氧化物含量，所述的步骤得到一种含有稀土卤化物的熔块，所述的加热步骤后接一个冷却步骤，在达到300℃之后而得到熔融块之前，加热步骤不降到200℃以下。如此得到的块能生长具有显著闪烁性能的非常纯的单晶。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
式AeLnfX(3f+e)的单晶，其特征在于其体积是至少10cm3，式中Ln代表一种或多种稀土，X代表一种或多种选自Cl、Br或I的卤素原子，而A代表一种或多种碱金属，e和f代表下述值：?e小于或等于3f，?f大于或等于1，它含有0.1重量％以下的稀土卤氧化物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：A伊尔蒂斯，
申请(专利权)人：圣戈班晶体及检测公司，
类型：发明
国别省市：