一种多晶料在区熔单晶硅中的一次成晶工艺制备方法技术

本发明专利技术涉及一种多晶料在区熔单晶硅中的一次成晶工艺制备方法，如下步骤：使用超声波清洗机清洗得到多晶硅，转入区熔单晶炉内，将籽晶与熔硅进行熔接，熔接后启动上下轴转速，在细颈生长结束后，进行放肩、出包、扩肩处理，等径、收尾、停炉工序。本发明专利技术有益效果为：利用该工艺，可在生产过程中降低各种能源的损耗，节省环境利用率，使成晶工艺相对简单化；可改变区熔硅单晶成晶工艺的运行状态，提高了硅单晶产品成品率，降低了出档率，相对节约了成本；通过改变的区熔硅单晶工艺，在原料多晶硅方面也可节约成本、降低头尾次数；可相对解决因多晶原料提纯过程中带来的杂质污染，造成不必要的原料损耗。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多晶料在区熔单晶硅中的一次成晶工艺制备方法，其特征在于，按照如下步骤实现：(1)将待加工原料进行切断、刻槽；(2)将表面颗粒去除干净至光滑有亮度，再使用超声波清洗机清洗腐蚀原料，同时在清洗后加入调配处理剂，再次清洗，得到要求较高的多晶硅；(3)将上述处理的多晶硅，转入有保护气体存在的区熔单晶炉内，然后进行清炉、装炉、抽空、预热、化料处理步骤；(4)将籽晶与熔硅进行熔接，熔接后启动上下轴转速，上轴转速至1～2rpm/min，下轴转速至2～15rpm/min，调整下轴移速到2～14mm/min，进行细颈生长，使细颈直径达到3～5mm，长度达到60～90mm；(5)在细颈生长结束后，进行放肩、出包、扩肩处理；缓慢降低下轴移速至3～5mm/min，并相应增加电流电压至4～7kv，同时增加上轴下移速度至6～8mm/min进行放肩过程，在放肩直径与单晶直径相差5～10mm时，将放肩速度减慢至3～4mm/min进行转肩，使之达到单晶硅目标直径51～55mm；(6)当达到单晶硅目标直径，以2～4±1mm/min生长速度进行等径生长，并同时开始正转和反转的同时运行状态；当单晶硅拉至尾部进行收尾时，停止转速的状态变为单一状态及同方向状态运行，缓慢降低功率和上轴移速，缩小单晶硅直径，直至与所需成品单晶直径相差5～10mm，上轴向上移速，拉断熔区，保持下轴移速和转速不变方向不变，直到熔区收尾过程完成，高压处于保持状态，停炉冷却时间为1小时，进行清炉工序即可得到区熔硅单晶的产品。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘剑，
申请(专利权)人：刘剑，
类型：发明
国别省市：