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本发明涉及一种多晶料在区熔单晶硅中的一次成晶工艺制备方法，如下步骤：使用超声波清洗机清洗得到多晶硅，转入区熔单晶炉内，将籽晶与熔硅进行熔接，熔接后启动上下轴转速，在细颈生长结束后，进行放肩、出包、扩肩处理，等径、收尾、停炉工序。本发明有益效...
该专利属于刘剑所有，仅供学习研究参考，未经过刘剑授权不得商用。

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