一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件，其特征在于，硅基片衬底（1）的上面设置有多孔硅基氧化钨纳米线复合结构（6），多孔硅基氧化钨纳米线复合结构（6）由多孔硅（3）和一维氧化钨纳米线（2）组成，一维氧化钨纳米线结构（2）的上面设置有正铂电极（4）和负铂电极（5）。本实用新型专利技术在低温下对低浓度氮氧化物气体具有较高的响应值和很好的选择性，响应/恢复时间短，体积小巧、结构简单、制作工艺成熟、使用方便、价格低廉，有望在气敏传感器领域推广和应用。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件，包括硅基片衬底，其特征在于，所述硅基片衬底（1）的上面设置有多孔硅基氧化钨纳米线复合结构（6），多孔硅基氧化钨纳米线复合结构（6）由多孔硅（3）和一维氧化钨纳米线（2）组成，一维氧化钨纳米线（2）的上面设置有正铂电极（4）和负铂电极（5）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡明，马双云，曾鹏，李明达，闫文君，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：实用新型
国别省市：