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本实用新型公开了一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件，其特征在于，硅基片衬底（1）的上面设置有多孔硅基氧化钨纳米线复合结构（6），多孔硅基氧化钨纳米线复合结构（6）由多孔硅（3）和一维氧化钨纳米线（2）组成，一维氧化钨纳米线结构（2）的上面...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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