LED外延的生长方法以及通过此方法获得的LED芯片技术

本发明专利技术提供了一种LED外延的生长方法，包括衬底的预处理、生长缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长电子阻挡层、生长掺Mg的高温P型GaN层以及退火步骤；生长不掺杂GaN层步骤具体包括：A、升高反应室内的温度，保持恒定；B、降低反应室内的压力，生长第一不掺杂GaN层；C、依次将生长第二不掺杂GaN层和生长第三不掺杂GaN层作为一个周期，重复循环20-30个周期。应用本发明专利技术的技术方案，通过高压和低压交错生长不掺杂GaN层，使得LED晶格位错密度降低至8E+8-7E+8个/cm2，从而使得其产品具有抗静电能力高、发光效率高以及反向漏电小的效果。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种LED外延的生长方法，其特征在于：在MOCVD反应室内进行依次进行衬底的预处理、生长缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长电子阻挡层、生长掺Mg的高温P型GaN层以及退火的步骤；所述生长不掺杂GaN层步骤具体包括：A、将反应室内的温度经过70?100s升高至1100?1200℃，保持恒定；B、将反应室内的压力经过10?30s降低至190?250mbar，生长厚度为900?1200nm的第一不掺杂GaN层；C、以依次生长第二不掺杂GaN层和生长第三不掺杂GaN层为一周期，重复循环20?30个周期；所述生长第二不掺杂GaN层步骤具体为：将反应室内的压力...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林传强，苗振林，王新建，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：