一种晶硅太阳能电池多层膜制备工艺制造技术

技术编号:9382802 阅读:141 留言:0更新日期:2013-11-28 01:01
本发明专利技术涉及晶硅太阳能电池减反射膜制备工艺,具体涉及一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺。本发明专利技术采用多次改变反应气体的通断,晶硅片一次进入镀膜设备形成两层或多层SiNx:H减反射膜。用该工艺可以提高太阳电池短路电流14-20mA,开路电压高1.1-5mV,效率提升0.1-0.2%,并且太阳电池分档更加集中。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺,其特征在于,在硅片的受光面设置两层以上减反射膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:贾河顺姜言森任现坤张春艳马继磊徐振华
申请(专利权)人:山东力诺太阳能电力股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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