太阳能电池的扩散制结方法、太阳能电池及其制作方法技术

技术编号:9382801 阅读:125 留言:0更新日期:2013-11-28 01:01
本发明专利技术提供了一种太阳能电池的扩散制结方法、太阳能电池及其制作方法。该扩散制结方法包括:步骤S1.在硅片的表面上生长SiO2层,得到预处理硅片;步骤S2.在预处理硅片的SiO2层上进行磷扩散。本发明专利技术在沉积P原子之前,在硅片表面沉积SiO2层,SiO2层就会对发射区起到很好的保护作用,降低不活泼磷原子的浓度,进而降低过饱和浅结磷扩所造成的硅表面晶格损伤。并且上述方法简单、易实现,适用于大规模产业化生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种太阳能电池的扩散制结方法,其特征在于,所述扩散制结方法包括:步骤S1,在硅片的表面上生长SiO2层,得到预处理硅片;步骤S2,在所述预处理硅片的SiO2层上进行磷扩散。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:胡海波
申请(专利权)人:英利能源中国有限公司
类型:发明
国别省市:

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