一种黑硅超疏水材料及其制造方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种制造黑硅超疏水材料的方法，包括：用金属辅助化学离子刻蚀法或者飞秒激光辐照法在硅衬底材料上形成黑硅活性区增强吸收层；在黑硅活性区增强吸收层的表面生长形成氧化硅层；在氧化硅层上形成二氯二甲基硅烷层。按照本发明专利技术实施例所提供的黑硅超疏水材料比传统晶体硅在近红外波段表现出更高的光吸收率；同时，具有疏水特性，可以自动清洁由于时间积累带来的不可避免的灰尘，也可有效防止积雪，保证高质量操作，延长使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制造黑硅超疏水材料的方法，其特征在于，包括：用金属辅助化学离子刻蚀法或者飞秒激光辐照法在硅衬底材料上形成黑硅活性区增强吸收层；用等离子体增强化学气相沉积法在所述黑硅活性区增强吸收层的表面生长形成氧化硅层；在所述氧化硅层上形成二氯二甲基硅烷层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李世彬，张婷，吴志明，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：