【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种晶体硅太阳电池背面局域接触结构的制备方法，其特征在于包括下述步骤：A.根据电池背面局域接触参数的需求进行掩膜版设计，包括图型、线条的宽度及与硅片接触点的大小；B.将制绒、扩散和去磷硅玻璃后的硅片放入载片舟中，使硅片背表面为预备镀膜面，然后在背表面上放置掩膜版，通过载片舟上的定位点将掩膜版固定在硅片上面，使硅片与掩膜版之间形成紧密接触；C.进行钝化膜沉积工艺，所镀的钝化膜为内层二氧化硅、外层氮化硅的双层膜，或者是三氧化铝单层膜，或是内层三氧化铝、外层氮化硅的双层膜；D.将硅片取出，在硅片上表面镀减反膜并依次进行背表面和上表面的电极印刷和烧结工艺，最终得到完整的电池结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李小玄，李大伟，刘洪波，巨小宝，
申请(专利权)人：西安黄河光伏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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