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本发明提供了一种晶体硅太阳电池背面局域接触结构的制备方法，根据电池背面局域接触参数的需求进行掩膜版设计；将制绒、扩散和去磷硅玻璃后的硅片放入载片舟中，在背表面上放置掩膜版；然后进行钝化膜沉积工艺；在硅片上表面镀减反膜并依次进行背表面和上表面...
该专利属于西安黄河光伏科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安黄河光伏科技股份有限公司授权不得商用。

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