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本发明涉及晶硅太阳能电池减反射膜制备工艺，具体涉及一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺。本发明采用多次改变反应气体的通断，晶硅片一次进入镀膜设备形成两层或多层SiNx：H减反射膜。用该工艺可以提高太阳电池短路电流14-20mA，开路电压高...
该专利属于山东力诺太阳能电力股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东力诺太阳能电力股份有限公司授权不得商用。

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